|
Физика твердого тела, 2016, том 58, выпуск 5, страницы 950–960
(Mi ftt9985)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Примесные центры
Примесно-дефектное излучение нелегированных монокристаллов Cd$_{1-x}$Zn$_{x}$Te вблизи края собственного поглощения
В. С. Кривобокab, И. А. Денисовc, Е. Н. Можевитинаc, С. Н. Николаевa, Е. Е. Онищенкоa, А. А. Пручкинаa, А. А. Силинаc, Н. А. Смирноваc, М. А. Чернопицскийa, Н. И. Шматовc a Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
b Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва
c Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности "Гиредмет", Москва, Россия
Аннотация:
На основе измерений низкотемпературной фотолюминесценции проведено исследование мелких примесно-дефектных состояний в нелегированных монокристаллах Cd$_{1-x}$Zn$_{x}$Te ($x\sim$ 3–6%). Влияние цинка, в основном, сводится к жесткому сдвигу всех особенностей, связанных с экситонным излучением, что позволило с высокой ($\sim$0.3 meV) точностью измерить ширину запрещенной зоны и концентрацию цинка в твердых растворах. Во всех исследованных кристаллах регистрируются водородоподобные доноры с энергией основного состояния $\sim$14 meV и четыре типа акцепторов со средней энергией активации 59.3 $\pm$ 0.6 meV, 69.6 $\pm$ 1.5 meV, 155.8 $\pm$ 2.0 meV и 52.3 $\pm$ 0.6 meV. Сопоставление с результатами анализа примесного фона и литературными данными по примесно-дефектному излучению в нелегированном CdTe позволяет приписать первые три акцептора примесям замещения Na$_{\mathrm{Cd}}$, P$_{\mathrm{Te}}$ и Cu$_{\mathrm{Cd}}$ соответственно. Наиболее мелкий акцептор (52.3 $\pm$ 0.6 meV) представляет собой комплексный дефект, у которого существует нестандартный возбужденный уровень, отстоящий от основного всего на 7 meV. Этот уровень возникает, по-видимому, за счет снятия вырождения, характерного для $T_{D}$ акцепторов, низкосимметричным потенциалом комплексного дефекта.
Поступила в редакцию: 14.10.2015
Образец цитирования:
В. С. Кривобок, И. А. Денисов, Е. Н. Можевитина, С. Н. Николаев, Е. Е. Онищенко, А. А. Пручкина, А. А. Силина, Н. А. Смирнова, М. А. Чернопицский, Н. И. Шматов, “Примесно-дефектное излучение нелегированных монокристаллов Cd$_{1-x}$Zn$_{x}$Te вблизи края собственного поглощения”, Физика твердого тела, 58:5 (2016), 950–960; Phys. Solid State, 58:5 (2016), 981–991
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt9985 https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v58/i5/p950
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 37 | PDF полного текста: | 10 |
|