Loading [MathJax]/jax/output/SVG/config.js
Физика твердого тела
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика твердого тела:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика твердого тела, 2016, том 58, выпуск 11, страницы 2164–2170 (Mi ftt9781)  
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

XX Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'' , Н. Новгород, 14-18 марта 2016 г.
Сегнетоэлектричество

Температурная динамика доменной структуры триглицинсульфата по данным атомно-силовой микроскопии и диэлектрической спектроскопии

Г. И. Овчинниковаa, Н. В. Белугинаb, Р. В. Гайнутдиновb, Е. С. Ивановаb, В. В. Гребеневb, А. К. Лашковаb, А. Л. Толстихинаb

a Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова
b Институт кристаллографии им. А. В. Шубникова РАН, г. Москва
PDF полного текста (1333 kB) Список цитирования (2)
Аннотация: Представлены результаты комплексного исследования водородсодержащего сегнетоэлектрика триглицинсульфата (TGS) методами атомно-силовой микроскопии (AFM) и диэлектрической спектроскопии. В режиме микроскопии пьезоэлектрического отклика (PFM) in situ изучена динамика доменной структуры при нагреве и охлаждении кристалла TGS вблизи фазового перехода. Получены релаксационные зависимости общего периметра доменных границ и размеров доменов. Измеренные в диапазоне частот от 10 до 10$^{11}$ Hz диэлектрические спектры TGS проанализированы на основе представлений о заметном вкладе проводимости в диэлектрический отклик сегнетоэлектриков. Показано, что учет вклада проводимости в диэлектрические спектры дает хорошее согласие с экспериментом и позволяет получить дополнительную информацию о температурной динамике доменной структуры.
Англоязычная версия:
Physics of the Solid State, 2016, Volume 58, Issue 11, Pages 2244–2250
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063783416110305
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Г. И. Овчинникова, Н. В. Белугина, Р. В. Гайнутдинов, Е. С. Иванова, В. В. Гребенев, А. К. Лашкова, А. Л. Толстихина, “Температурная динамика доменной структуры триглицинсульфата по данным атомно-силовой микроскопии и диэлектрической спектроскопии”, Физика твердого тела, 58:11 (2016), 2164–2170; Phys. Solid State, 58:11 (2016), 2244–2250
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{OvcBelGai16}
\by Г.~И.~Овчинникова, Н.~В.~Белугина, Р.~В.~Гайнутдинов, Е.~С.~Иванова, В.~В.~Гребенев, А.~К.~Лашкова, А.~Л.~Толстихина
\paper Температурная динамика доменной структуры триглицинсульфата по данным атомно-силовой микроскопии и диэлектрической спектроскопии
\jour Физика твердого тела
\yr 2016
\vol 58
\issue 11
\pages 2164--2170
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ftt9781}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27368818}
\transl
\jour Phys. Solid State
\yr 2016
\vol 58
\issue 11
\pages 2244--2250
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063783416110305}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt9781
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v58/i11/p2164
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    1. Olga Y. Mazur, Leonid I. Stefanovich, Yuri A. Genenko, “Stochastic theory of ferroelectric domain structure formation dominated by quenched disorder”, Phys. Rev. B, 107:14 (2023)  crossref
    2. G. I. Ovchinnikova, A. P. Eremeev, N. V. Belugina, R. V. Gainutdinov, E. S. Ivanova, A. L. Tolstikhina, “Dielectric losses in the triglycine sulfate crystal under heating and cooling”, Phys. Wave Phen., 25:3 (2017), 231  crossref
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика твердого тела Физика твердого тела
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:51
    PDF полного текста:27
     
      Обратная связь:
    math-net2025_04@mi-ras.ru     		 Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025