|
Физика твердого тела, 2016, том 58, выпуск 12, страницы 2369–2371
(Mi ftt9743)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
Сегнетоэлектричество
Энергетический спектр электронных центров прилипания в CuInAsS$_{3}$
Е. М. Зобовa, А. Ю. Моллаевa, Л. А. Сайпулаеваa, А. Г. Алибековa, Н. В. Мельниковаb a Институт физики им. Х. И. Амирханова ДНЦ РАН, Махачкала, Россия
b Институт естественных наук, Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б. Н. Ельцина, Екатеринбург
Аннотация:
Представлены результаты исследования энергетического спектра электронных состояний, обусловленных центрами прилипания, роль которых в CuInAsS$_{3}$ играют дефекты кристаллической решетки. Результаты анализа кривых термостимулированного тока в CuInAsS$_{3}$ показывают, что энергетический спектр центров прилипания локализован под дном зоны проводимости в интервале энергий $E_{C}$–(0.14–0.35) eV.
Поступила в редакцию: 10.05.2016
Образец цитирования:
Е. М. Зобов, А. Ю. Моллаев, Л. А. Сайпулаева, А. Г. Алибеков, Н. В. Мельникова, “Энергетический спектр электронных центров прилипания в CuInAsS$_{3}$”, Физика твердого тела, 58:12 (2016), 2369–2371; Phys. Solid State, 58:12 (2016), 2457–2459
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt9743 https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v58/i12/p2369
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 27 | PDF полного текста: | 8 |
|