Loading [MathJax]/jax/output/CommonHTML/jax.js
Физика твердого тела
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика твердого тела:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика твердого тела, 2016, том 58, выпуск 12, страницы 2369–2371 (Mi ftt9743)  
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Сегнетоэлектричество

Энергетический спектр электронных центров прилипания в CuInAsS3

Е. М. Зобовa, А. Ю. Моллаевa, Л. А. Сайпулаеваa, А. Г. Алибековa, Н. В. Мельниковаb

a Институт физики им. Х. И. Амирханова ДНЦ РАН, Махачкала, Россия
b Институт естественных наук, Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б. Н. Ельцина, Екатеринбург
PDF полного текста (138 kB) Список цитирования (3)
Аннотация: Представлены результаты исследования энергетического спектра электронных состояний, обусловленных центрами прилипания, роль которых в CuInAsS3 играют дефекты кристаллической решетки. Результаты анализа кривых термостимулированного тока в CuInAsS3 показывают, что энергетический спектр центров прилипания локализован под дном зоны проводимости в интервале энергий EC–(0.14–0.35) eV.
Поступила в редакцию: 10.05.2016
Англоязычная версия:
Physics of the Solid State, 2016, Volume 58, Issue 12, Pages 2457–2459
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063783416120362
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Е. М. Зобов, А. Ю. Моллаев, Л. А. Сайпулаева, А. Г. Алибеков, Н. В. Мельникова, “Энергетический спектр электронных центров прилипания в CuInAsS3”, Физика твердого тела, 58:12 (2016), 2369–2371; Phys. Solid State, 58:12 (2016), 2457–2459
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ZobMolSay16}
\by Е.~М.~Зобов, А.~Ю.~Моллаев, Л.~А.~Сайпулаева, А.~Г.~Алибеков, Н.~В.~Мельникова
\paper Энергетический спектр электронных центров прилипания в CuInAsS$_{3}$
\jour Физика твердого тела
\yr 2016
\vol 58
\issue 12
\pages 2369--2371
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ftt9743}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27368854}
\transl
\jour Phys. Solid State
\yr 2016
\vol 58
\issue 12
\pages 2457--2459
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063783416120362}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt9743
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v58/i12/p2369
    • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    1. N. V. Melnikova, V. Yu. Kolosov, V. Yu. Zarubin, A. A. Yushkov, E. S. Novoselov, V. I. Pryakhina, PHYSICS, TECHNOLOGIES AND INNOVATION (PTI-2019): Proceedings of the VI International Young Researchers' Conference, 2174, PHYSICS, TECHNOLOGIES AND INNOVATION (PTI-2019): Proceedings of the VI International Young Researchers' Conference, 2019, 020040  crossref
    2. N V Melnikova, K V Kurochka, A V Tebenkov, A N Babushkin, “Relative magnetoresistance in polycrystalline In–Cu chalcogenides under high pressure up to 50 GPa”, J. Phys.: Conf. Ser., 946 (2018), 012088  crossref
    3. Joon-Il Kim, John A. Peters, Yihui He, Zhifu Liu, Sanjib Das, Oleg Y. Kontsevoi, Mercouri G. Kanatzidis, Bruce W. Wessels, “Electronic defects in the halide antiperovskite semiconductor Hg3Se2I2”, Phys. Rev. B, 96:16 (2017)  crossref
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика твердого тела Физика твердого тела
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:63
    PDF полного текста:19
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025