|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Полупроводники
Анизотропия длин свободного пробега фононов в монокристаллических пленках Ge, Si, алмаза при низких температурах
И. И. Кулеев Институт физики металлов им. М.Н. Михеева УрО РАН, г. Екатеринбург
Аннотация:
Рассмотрены физические аспекты влияния анизотропии упругой энергии кристаллов на анизотропию длин свободного пробега фононов в монокристаллических пленках Ge, Si, алмаза при диффузном рассеянии фононов на границах. Показано, что длины свободного пробега фононов для достаточно широких пленок Ge, Si, алмаза с ориентациями $\{100\}$ и $\{111\}$ и длинами пленок, меньшими или равными их ширины, являются изотропными (не зависят от направления градиента температуры в плоскости пленки). А анизотропии длин пробега фононов зависит главным образом от ориентации плоскости пленки и определяется фокусировкой и дефокусировкой фононных мод. Для пленок Ge, Si, алмаза с ориентациями $\{100\}$ и $\{111\}$ и длинами пленок, гораздо больших их ширины, длины свободного пробега фононов становятся анизотропными.
Поступила в редакцию: 13.07.2016
Образец цитирования:
И. И. Кулеев, “Анизотропия длин свободного пробега фононов в монокристаллических пленках Ge, Si, алмаза при низких температурах”, Физика твердого тела, 59:4 (2017), 668–678; Phys. Solid State, 59:4 (2017), 682–693
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt9604 https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v59/i4/p668
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 38 | PDF полного текста: | 18 |
|