Исследование валентного перехода в системе О$_{2}$–Yb–Si(111) с помощью метода фотоэлектронной спектроскопии с угловым разрешением

С помощью метода фотоэлектронной спектроскопии с угловым разрешением проведены исследования структур Yb-Si(111) и O$_{2}$–Yb–Si(111) и получены данные о распределение двух- и трехвалентных ионов в нанопленках иттербия в случае, когда адсорбированный слой молекул на их поверхности еще не полностью сформирован и валентный переход Yb$^{2+}$ $\to$ Yb$^{3+}$ не завершен. Показано, что распределение ионов Yb$^{2+}$ и Yb$^{3+}$ вглубь нанопленок близко к изотропному и что его протяженность составляет 9 или более монослоев. Полученные результаты свидетельствуют о том, что в формировании 5$d$-зоны иттербия, стимулированном адсорбированными молекулами, участвуют все атомы нанопленки, подтверждая предположения, сделанные в более ранних публикациях.