Сравнительный анализ деформационных полей в слоях метаморфных ступенчатых буферов различного дизайна

Методом построения карт обратного пространства, полученных с помощью трехосевой рентгеновской дифрактометрии, и на основе линейной теории упругости получены пространственные распределения остаточных упругих деформаций в слоях двух метамофных ступенчатых буферов различного дизайна, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на основе тройных растворов In$_{x}$Al$_{1-x}$As на подложках (001) GaAs. Разница в дизайне буферов обеспечивала образование в каждой из гетероструктур бездислокационного слоя с различной толщиной, что явилось основным базисом данного исследования. Показано, что, несмотря на различный дизайн метаморфных ступенчатых буферов, характер деформационных полей в них один и тот же, а остаточные упругие деформации в финальных элементах обоих буферов с учетом поправки на эффект деформационного упрочнения подчиняются тому же феноменологическому закону, который описывает процесс структурной релаксации в однослойных гетероструктурах.