|
Полупроводники
Бета-индуцированное уменьшение содержания фаз кремния Si-II, Si-XII, Si-III и $\alpha$-Si, образующихся под индентором
А. А. Дмитриевский, Н. Ю. Ефремова, Д. Г. Гусева Тамбовский государственный университет им. Г. Р. Державина
Аннотация:
Проведена количественная оценка объемов метастабильных фаз кремния Si-II, Si-XII, Si-III и $\alpha$-Si в локально деформированной (пирамида Берковича) области необлученных и предварительно облученных монокристаллов Si. Для расчета объемов использованы экспериментальные данные, полученные методами рамановской спектроскопии и in situ регистрации фазовых превращений кремния Si-I $\to$ Si-II под индентором. Предварительное облучение кремния бета-частицами от источника $^{90}$Sr–$^{90}$Y (флюенс $F$ = 3.24 $\cdot$ 10$^{10}$ cm$^{-2}$, интенсивность $I$ = 1,8 $\cdot$ 10$^{5}$ cm$^{-2}$s$^{-1}$) вызывает более чем полуторакратное уменьшение объема указанных фаз.
Поступила в редакцию: 03.04.2017
Образец цитирования:
А. А. Дмитриевский, Н. Ю. Ефремова, Д. Г. Гусева, “Бета-индуцированное уменьшение содержания фаз кремния Si-II, Si-XII, Si-III и $\alpha$-Si, образующихся под индентором”, Физика твердого тела, 59:11 (2017), 2235–2239; Phys. Solid State, 59:11 (2017), 2257–2261
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt9407 https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v59/i11/p2235
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 30 | PDF полного текста: | 13 |
|