Аннотация:
Представлены результаты экспериментального исследования и численного моделирования динамики развития канала переключения в планарных структурах на основе диоксида ванадия. Полученные результаты по изменению со временем температуры в канале и протекающего при импульсном нагружении тока и временам перехода из высокоомного состояния в низкоомное и обратно анализируются на предмет определения механизма переключения и прогнозирования функциональных характеристик переключательных оксиднованадиевых структур как перспективных для создания релаксационных генераторов – прототипов нейроосцилляторов. Показано, что переключение связано с фазовым переходом “металл-полупроводник” в диоксиде ванадия, стимулируемым выделением джоулева тепла.
Образец цитирования:
М. А. Беляев, П. П. Борисков, А. А. Величко, А. Л. Пергамент, В. В. Путролайнен, Д. В. Рябоконь, Г. Б. Стефанович, В. И. Сысун, С. Д. Ханин, “Динамика развития канала переключения в планарных структурах на основе диоксида ванадия”, Физика твердого тела, 60:3 (2018), 443–451; Phys. Solid State, 60:3 (2018), 447–456