М. А. Беляев, П. П. Борисков, А. А. Величко, А. Л. Пергамент, В. В. Путролайнен, Д. В. Рябоконь, Г. Б. Стефанович, В. И. Сысун, С. Д. Ханин, “Динамика развития канала переключения в планарных структурах на основе диоксида ванадия”, Физика твердого тела, 60:3 (2018), 443–451; Phys. Solid State, 60:3 (2018), 447

Физика твердого тела

RUS ENG

ЖУРНАЛЫ ПЕРСОНАЛИИ ОРГАНИЗАЦИИ КОНФЕРЕНЦИИ СЕМИНАРЫ ВИДЕОТЕКА ПАКЕТ AMSBIB

JavaScript is disabled in your browser. Please switch it on to enable full functionality of the website

	Общая информация
	Последний выпуск
	Архив
	Правила для авторов

	Поиск публикаций
	Поиск ссылок

	RSS
	Последний выпуск
	Текущие выпуски
	Архивные выпуски
	Что такое RSS

Физика твердого тела:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
	Найти

Персональный вход:
Логин:
Пароль:
	Запомнить пароль
	Войти
	Забыли пароль?
	Регистрация

Физика твердого тела, 2018, том 60, выпуск 3, страницы 443–451
DOI: https://doi.org/10.21883/FTT.2018.03.45542.05D (Mi ftt9260)

Эта публикация цитируется в 17 научных статьях (всего в 17 статьях)

XIV Международная конференция ''Физика диэлектриков'', Санкт-Петербург 29 мая-2 июня 2017 года
Фазовые переходы

Динамика развития канала переключения в планарных структурах на основе диоксида ванадия

М. А. Беляев^a, П. П. Борисков^a, А. А. Величко^a, А. Л. Пергамент^a, В. В. Путролайнен^a, Д. В. Рябоконь^bc, Г. Б. Стефанович^a, В. И. Сысун^a, С. Д. Ханин^bc

^a Петрозаводский государственный университет
^b Военная академия связи им. С. М. Буденного, Санкт-Петербург, Россия
^c Российский государственный педагогический университет им. А. И. Герцена, г. Санкт-Петербург

PDF полного текста (2009 kB) Список цитирования (17)

DOI: https://doi.org/10.21883/FTT.2018.03.45542.05D

Аннотация: Представлены результаты экспериментального исследования и численного моделирования динамики развития канала переключения в планарных структурах на основе диоксида ванадия. Полученные результаты по изменению со временем температуры в канале и протекающего при импульсном нагружении тока и временам перехода из высокоомного состояния в низкоомное и обратно анализируются на предмет определения механизма переключения и прогнозирования функциональных характеристик переключательных оксиднованадиевых структур как перспективных для создания релаксационных генераторов – прототипов нейроосцилляторов. Показано, что переключение связано с фазовым переходом “металл-полупроводник” в диоксиде ванадия, стимулируемым выделением джоулева тепла.

Финансовая поддержка	Номер гранта
Российский научный фонд	16-19-00135
Работа выполнена при поддержке Российского научного фонда, грант № 16-19-00135.

Англоязычная версия:
Physics of the Solid State, 2018, Volume 60, Issue 3, Pages 447–456
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063783418030046

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья

Образец цитирования: М. А. Беляев, П. П. Борисков, А. А. Величко, А. Л. Пергамент, В. В. Путролайнен, Д. В. Рябоконь, Г. Б. Стефанович, В. И. Сысун, С. Д. Ханин, “Динамика развития канала переключения в планарных структурах на основе диоксида ванадия”, Физика твердого тела, 60:3 (2018), 443–451; Phys. Solid State, 60:3 (2018), 447–456

Цитирование в формате AMSBIB

\RBibitem{BelBorVel18}

\by М.~А.~Беляев, П.~П.~Борисков, А.~А.~Величко, А.~Л.~Пергамент, В.~В.~Путролайнен, Д.~В.~Рябоконь, Г.~Б.~Стефанович, В.~И.~Сысун, С.~Д.~Ханин

\paper Динамика развития канала переключения в планарных структурах на основе диоксида ванадия

\jour Физика твердого тела

\yr 2018

\vol 60

\issue 3

\pages 443--451

\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ftt9260}

\crossref{https://doi.org/10.21883/FTT.2018.03.45542.05D}

\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=32739801}

\transl

\jour Phys. Solid State

\yr 2018

\vol 60

\issue 3

\pages 447--456

\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063783418030046}

Образцы ссылок на эту страницу:

https://www.mathnet.ru/rus/ftt9260

https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v60/i3/p443

Эта публикация цитируется в следующих 17 статьяx:

Simiao Yang, Deli Li, Jiuchao Feng, Binchen Gong, Qing Song, Yue Wang, Zhen Yang, Yonghua Chen, Qi Chen, Wei Huang, “Secondary Order RC Sensor Neuron Circuit for Direct Input Encoding in Spiking Neural Network”, Adv Elect Materials, 2024
Mohammadreza Farjadian, Majid Shalchian, “Modeling and design of a Mott selector for a ReRAM-based non-volatile memory cell in a crossbar architecture”, J Comput Electron, 21:2 (2022), 535
Emile Haddad, Roman V. Kruzelecky, Piotr Murzionak, Wes Jamroz, Kamel Tagziria, Mohamed Chaker, Boris Ledrogoff, “Review of the VO2 smart material applications with emphasis on its use for spacecraft thermal control”, Front. Mater., 9 (2022)
Andrei Velichko, Vadim Putrolaynen, Maksim Belyaev, “Higher-order and long-range synchronization effects for classification and computing in oscillator-based spiking neural networks”, Neural Comput & Applic, 33:8 (2021), 3113
Mohammadreza Farjadian, Majid Shalchian, “Hybrid Electrothermal Model for Insulator-to- Metal Transition in VO2 Thin Films”, IEEE Trans. Electron Devices, 68:2 (2021), 704
Ali Mohamed, Osama Rayis, Advances in Intelligent Systems and Computing, 1197, Intelligent and Fuzzy Techniques: Smart and Innovative Solutions, 2021, 1031
M A Belyaev, A A Velichko, “Capacitorless model of a VO2 oscillator”, IOP Conf. Ser.: Mater. Sci. Eng., 734:1 (2020), 012151
A A Velichko, M A Belyaev, D V Ryabokon, S D Khanin, “The non-capacitor model of leaky integrate-and-fire VO2 neuron with the thermal mechanism of the membrane potential”, J. Phys.: Conf. Ser., 1399:2 (2019), 022046
Velichko, “A Method for Evaluating Chimeric Synchronization of Coupled Oscillators and Its Application for Creating a Neural Network Information Converter”, Electronics, 8:7 (2019), 756
P P Boriskov, A A Velichko, “Inductively coupled burst oscillators in neural network information processing systems”, J. Phys.: Conf. Ser., 1399:3 (2019), 033051
P. P. Boriskov, M. A. Belyaev, A. A. Velichko, “Stochastic Synchronization and the Signal-to-Noise Ratio in an Oscillator with a Film VO2 Switch”, J. Commun. Technol. Electron., 64:7 (2019), 705
V.P. Prasadam, N. Bahlawane, F. Mattelaer, G. Rampelberg, C. Detavernier, L. Fang, Y. Jiang, K. Martens, I.P. Parkin, I. Papakonstantinou, “Atomic layer deposition of vanadium oxides: process and application review”, Materials Today Chemistry, 12 (2019), 396
Petr Boriskov, Andrei Velichko, “Switch Elements with S-Shaped Current-Voltage Characteristic in Models of Neural Oscillators”, Electronics, 8:9 (2019), 922
V. R. Kolbunov, A. I. Ivon, A. V. Vasheruk, “Kinetics of current in glass-ceramics on the base of vanadium dioxide”, J Electroceram, 43:1-4 (2019), 34
Belyaev, Velichko, “A Spiking Neural Network Based on the Model of VO2—Neuron”, Electronics, 8:10 (2019), 1065
Andrei Velichko, Maksim Belyaev, Petr Boriskov, “A Model of an Oscillatory Neural Network with Multilevel Neurons for Pattern Recognition and Computing”, Electronics, 8:1 (2019), 75
Andrei Velichko, Maksim Belyaev, Vadim Putrolaynen, Petr Boriskov, “A New Method of the Pattern Storage and Recognition in Oscillatory Neural Networks Based on Resistive Switches”, Electronics, 7:10 (2018), 266

Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles

Статистика просмотров:
Страница аннотации:	75
PDF полного текста:	36

Обратная связь:
math-net2025_05@mi-ras.ru

Пользовательское соглашение

Регистрация посетителей портала

Логотипы