Влияние легирования на свойства аморфного гидрогенизированного кремния, облученного фемтосекундными лазерными импульсами

Проведен сравнительный анализ влияния фемтосекундного лазерного облучения на структуру и проводимость нелегированного и легированного бором аморфного гидрогенизированного кремния. Было обнаружено, что процесс образования нанокристаллов в аморфной матрице под действием фемтосекундного лазерного облучения для нелегированных образцов аморфного гидрогенизированного кремния начинается при меньших плотностях энергии лазерного излучения, чем для легированных образцов. Различная проводимость нелегированных и легированных образцов аморфного гидрогенизированного кремния до их фемтосекундного облучения становится примерно одинаковой при облучении с плотностями энергии 150–160 mJ/cm$^{2}$.