Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Международная школа-семинар ''Экситоны в кристаллах и полупроводниковых наноструктурах'', посвященная 120-летию со дня рождения Е. Ф. Гросса, Санкт-Петербург 10-12 октября 2017 года Полупроводники
Экситоны и биэкситоны в сфероидальных квантовых точках А$_{2}$B$_{6}$
Аннотация:
В пределе сильного размерного квантования рассмотрены нижние энергетические состояния экситонов и биэкситонов в сфероидальных квантовых точках полупроводников с четырехкратно вырожденной вершиной валентной зоны, являющиеся активными в дипольном приближении при одно- и двухфотонном возбуждении. Выполнен сравнительный анализ порядка уровней размерного квантования дырки в потенциалах бесконечно глубокой квантовой ямы и трехмерного гармонического осциллятора с учетом аксиальной анизотропии формы квантовой точки (КТ). Показано, что анизотропия формы КТ может приводить к противоположному знаку расщепления по проекции углового момента $\pm$ 3/2, $\pm$ 1/2 для пространственно-нечетных $(1P_{3/2}$) и четных $(1S_{3/2}$) уровней дырки. При этом в случае потенциала бесконечно глубокой квантовой ямы может наблюдаться инверсия порядка $1S_{3/2}$ и $1P_{3/2}$ уровней при значениях отношения эффективных масс легкой и тяжелой дырки $\beta=m_{lh}/m_{hh}\approx$ 0.14. Предложен вид пробных волновых функций дырки для состояния 1P$_{3/2}$ в потенциале изотропного трехмерного гармонического осциллятора в зависимости от $\beta$. Приведена зависимость энергии связи экситонов в рассматриваемых потенциалах от $\beta$ и рассмотрена возможность формирования различных биэкситонных состояний.
Образец цитирования:
А. А. Головатенко, М.А. Семина, А. В. Родина, Т. В. Шубина, “Экситоны и биэкситоны в сфероидальных квантовых точках А$_{2}$B$_{6}$”, Физика твердого тела, 60:8 (2018), 1499–1502; Phys. Solid State, 60:8 (2018), 1510–1513
\RBibitem{GolSemRod18}
\by А.~А.~Головатенко, М.А.~Семина, А.~В.~Родина, Т.~В.~Шубина
\paper Экситоны и биэкситоны в сфероидальных квантовых точках А$_{2}$B$_{6}$
\jour Физика твердого тела
\yr 2018
\vol 60
\issue 8
\pages 1499--1502
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ftt9099}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTT.2018.08.46236.02Gr}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=35269496}
\transl
\jour Phys. Solid State
\yr 2018
\vol 60
\issue 8
\pages 1510--1513
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063783418080073}
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt9099
https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v60/i8/p1499
Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
M. A. Semina, A. A. Golovatenko, A. V. Rodina, “Influence of the spin-orbit split-off valence band on the hole
g
factor in semiconductor nanocrystals”, Phys. Rev. B, 104:20 (2021)
М.А. Семина, А. А. Головатенко, Т. В. Шубина, А. В. Родина, “Локализация носителей в квантовых точках с одноосной анизотропией формы и состава”, Физика твердого тела, 61:4 (2019), 636–644; M.A. Semina, A. A. Golovatenko, T. V. Shubina, A. V. Rodina, “Localization of carriers in quantum dots with uniaxial anisotropy of shape and composition”, Phys. Solid State, 61:4 (2019), 506–514