Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Международная школа-семинар ''Экситоны в кристаллах и полупроводниковых наноструктурах'', посвященная 120-летию со дня рождения Е. Ф. Гросса, Санкт-Петербург 10-12 октября 2017 года Полупроводники
Экситоны и биэкситоны в сфероидальных квантовых точках А2B6
Аннотация:
В пределе сильного размерного квантования рассмотрены нижние энергетические состояния экситонов и биэкситонов в сфероидальных квантовых точках полупроводников с четырехкратно вырожденной вершиной валентной зоны, являющиеся активными в дипольном приближении при одно- и двухфотонном возбуждении. Выполнен сравнительный анализ порядка уровней размерного квантования дырки в потенциалах бесконечно глубокой квантовой ямы и трехмерного гармонического осциллятора с учетом аксиальной анизотропии формы квантовой точки (КТ). Показано, что анизотропия формы КТ может приводить к противоположному знаку расщепления по проекции углового момента ± 3/2, ± 1/2 для пространственно-нечетных (1P3/2) и четных (1S3/2) уровней дырки. При этом в случае потенциала бесконечно глубокой квантовой ямы может наблюдаться инверсия порядка 1S3/2 и 1P3/2 уровней при значениях отношения эффективных масс легкой и тяжелой дырки β=mlh/mhh≈ 0.14. Предложен вид пробных волновых функций дырки для состояния 1P3/2 в потенциале изотропного трехмерного гармонического осциллятора в зависимости от β. Приведена зависимость энергии связи экситонов в рассматриваемых потенциалах от β и рассмотрена возможность формирования различных биэкситонных состояний.
Образец цитирования:
А. А. Головатенко, М.А. Семина, А. В. Родина, Т. В. Шубина, “Экситоны и биэкситоны в сфероидальных квантовых точках А2B6”, Физика твердого тела, 60:8 (2018), 1499–1502; Phys. Solid State, 60:8 (2018), 1510–1513