Физика твердого тела
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика твердого тела:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика твердого тела, 2018, том 60, выпуск 8, страницы 1495–1498
DOI: https://doi.org/10.21883/FTT.2018.08.46235.10Gr
(Mi ftt9098)
 

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Международная школа-семинар ''Экситоны в кристаллах и полупроводниковых наноструктурах'', посвященная 120-летию со дня рождения Е. Ф. Гросса, Санкт-Петербург 10-12 октября 2017 года
Металлы

Влияние распределения волновой функции на диссоциацию экситонов в электрическом поле

J. Hecköttera, M. Freitaga, D. Frohlicha, M. Aßmanna, M. Bayerab, М.А. Семинаb, М. М. Глазовb

a Experimentelle Physik II, Universität Dortmund
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация: Показано, что порог диссоциации экситона – связанной электрон-дырочной пары – в электрическом полем определяется, главным образом, его энергией: как и ожидалось, напряжение диссоциации уменьшается с ростом энергии экситона. Однако в мультиплетах состояний, принадлежащих определенному главному квантовому числу n, напряжение диссоциации возрастает с ростом энергии состояния, что противоречит ожиданиям, основанным на энергетических соображениях. Такое поведение продемонстрировано на желтой экситонной серии в Cu$_{2}$O, оно связано с перераспределением волновой функции в потенциальном рельефе, где верхнее (нижнее) по энергии состояние сдвигается к (от) туннельному барьеру.
Финансовая поддержка Номер гранта
German Research Foundation ICRC TRR
AS 459/1-3
Российский фонд фундаментальных исследований 15-52-12012
Министерство образования и науки Российской Федерации МД-1555.2017.2
14.Z50.31.0021
Российская академия наук - Федеральное агентство научных организаций
Мы благодарим Немецкое научное общество за поддержку в рамках программы ICRC TRR 160 (проект A1) и проекта No AS 459/1-3. Мы признательны за частичную поддержку РФФИ (15-52-12012), гранту Президента РФ МД-1555.2017.2 и программе Президиума РАН “Наноструктуры: физика, химия, биология, основы технологии”. M.B. также благодарен за поддержку гранту Правительства РФ 14.Z50.31.0021.
Англоязычная версия:
Physics of the Solid State, 2018, Volume 60, Issue 8, Pages 1506–1509
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063783418080115
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: J. Heckötter, M. Freitag, D. Frohlich, M. Aßmann, M. Bayer, М.А. Семина, М. М. Глазов, “Влияние распределения волновой функции на диссоциацию экситонов в электрическом поле”, Физика твердого тела, 60:8 (2018), 1495–1498; Phys. Solid State, 60:8 (2018), 1506–1509
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{HecFreFro18}
\by J.~Heck\"otter, M.~Freitag, D.~Frohlich, M.~A{\ss}mann, M.~Bayer, М.А.~Семина, М.~М.~Глазов
\paper Влияние распределения волновой функции на диссоциацию экситонов в электрическом поле
\jour Физика твердого тела
\yr 2018
\vol 60
\issue 8
\pages 1495--1498
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ftt9098}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTT.2018.08.46235.10Gr}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=35269495}
\transl
\jour Phys. Solid State
\yr 2018
\vol 60
\issue 8
\pages 1506--1509
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063783418080115}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt9098
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v60/i8/p1495
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика твердого тела Физика твердого тела
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:67
    PDF полного текста:11
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024