Потенциальные изображения сегнетоэлектрических доменных структур в кристаллах ниобата лития после формирования электронным лучом

В кристаллах ниобата лития с помощью низковольтной SEM-микроскопии исследовались сегнетоэлектрические доменные структуры, созданные электронным лучом. Структуры были сформированы в кристаллах с различной проводимостью – в высокоомных образцах конгруэнтного состава (CLN) и в образцах с проводимостью, улучшенной благодаря восстановительному отжигу (RLN). Проанализирована потенциальная природа контраста доменных структур, наблюдаемых в режиме вторичных электронов в зависимости от проводимости образцов и направления спонтанной поляризации доменов. Предполагается, что контраст доменов в кристаллах CLN связан с длительно сохраняющимися зарядами, локализованными у доменных стенок и в зонах облучения. Записанные доменные структуры в кристаллах CLN визуализировались на полярных и неполярных срезах. В кристаллах RLN с улучшенной, по сравнению с CLN, проводимостью потенциальный контраст периодических доменных структур был обнаружен только на полярных срезах, где вектор $P_{s}$ доменов перпендикулярен облучаемой поверхности. Этот контраст, по-видимому, связан с влиянием поля зарядов спонтанной электрической поляризации на вторичные электроны.