Атомный состав и морфология тонких пленок ресвератрола на поверхности окисленного кремния и поликристаллического золота

Приведены результаты исследования атомного состава термически напыленных пленок полифенольного антиоксиданта – ресвератрола (RVL) – толщиной до 50 nm, на поверхности окисленного кремния методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (XPS). Обнаружено, что площадь пор в пленке RVL составляет около 15% общей площади поверхности. Приведены результаты по изучению стабильности пленок RVL при обработке поверхности ионами Ar$^{+}$ с энергией 3 keV при значениях электрического тока через образец порядка 1 $\mu$А в течение 30 s. Обработка привела к увеличению площади пор до 30–40%, а отношение концентраций атомов C к O в пленке RVL как до ионной обработки поверхности, так и после не соответствовало химической формуле RVL-молекул. Методом атомносиловой микроскопии (AFM) в контактной моде с размером области сканирования порядка 10 $\mu$m $\times$ 10 $\mu$m исследованы RVL-покрытия поверхности окисленного кремния и поликристаллического Au. Обнаружено, что пленки RVL создают зернистое и пористое покрытие поверхности подложек. Характерный размер зерен составлял 150–300 nm в плоскости поверхности образца, а характерный перепад высот достигал 30 nm.