Диэлектрические параметры упруго напряженных, гетероэпитаксиальных пленок SrTiO$_{3}$

Методом лазерного испарения на монокристаллических подложках (001)La$_{0.29}$Sr$_{0.71}$Al$_{0.65}$Ta$_{0.35}$O$_{3}$ выращены трехслойные эпитаксиальные гетероструктуры SrRuO$_{3}$/SrTiO$_{3}$/SrRuO$_{3}$ с толщиной промежуточного слоя титаната стронция 900 nm. Фотолитография и ионное травление были использованы для формирования на базе выращенных гетероструктур плоскопараллельных пленочных конденсаторов, для которых измерены температурные зависимости тангенса угла диэлектрических потерь при различном напряжении смещения, поданном на электроды из рутената стронция. Визуализированы температурные зависимости диэлектрической проницаемости промежуточного слоя SrTiO$_{3}$ в сформированных конденсаторных структурах при компенсации внутреннего электрического поля и без неe. Проведен анализ причин резкого увеличения диэлектрических потерь в сформированных пленочных конденсаторах при температурах ниже 50 K.