Физика твердого тела
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика твердого тела:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика твердого тела, 2019, том 61, выпуск 3, страницы 426–432
DOI: https://doi.org/10.21883/FTT.2019.03.47231.271
(Mi ftt8876)
 

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Полупроводники

Влияние фокусировки фононов на теплопроводность гетероструктур GaAs/AlGaAs при низких температурах

И. И. Кулеев

Институт физики металлов им. М.Н. Михеева УрО РАН, г. Екатеринбург
Аннотация: Исследовано влияние анизотропии упругих свойств на теплопроводность гетероструктур GaAs/AlGaAs при низких температурах. Проанализировано влияние фокусировки фононов на анизотропию теплопроводности. Определены параметры зеркальности отражения фононов от границ гетероструктур, характеризующие тепловой поток в режиме кнудсеновского течения фононного газа. Рассчитаны угловые зависимости длин свободного пробега фононов различных поляризаций, определяющих анизотропию теплопроводность гетероструктур с ориентациями плоскостей $\{100\}$ и $\{110\}$.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации АААА-А18-118020290104-2
Российская академия наук - Федеральное агентство научных организаций 32-1.1.3.5
Уральское отделение Российской академии наук 18-10-2-37
Работа выполнена по плану РАН в рамках темы “Спин” № АААА-А18-118020290104-2, по проектам программ Президиума РАН № 32-1.1.3.5 и УрО РАН № 18-10-2-37.
Поступила в редакцию: 01.10.2018
Англоязычная версия:
Physics of the Solid State, 2019, Volume 61, Issue 3, Pages 292–298
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378341903020X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: И. И. Кулеев, “Влияние фокусировки фононов на теплопроводность гетероструктур GaAs/AlGaAs при низких температурах”, Физика твердого тела, 61:3 (2019), 426–432; Phys. Solid State, 61:3 (2019), 292–298
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Kul19}
\by И.~И.~Кулеев
\paper Влияние фокусировки фононов на теплопроводность гетероструктур GaAs/AlGaAs при низких температурах
\jour Физика твердого тела
\yr 2019
\vol 61
\issue 3
\pages 426--432
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ftt8876}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTT.2019.03.47231.271}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=37478381}
\transl
\jour Phys. Solid State
\yr 2019
\vol 61
\issue 3
\pages 292--298
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378341903020X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt8876
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v61/i3/p426
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика твердого тела Физика твердого тела
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:46
    PDF полного текста:20
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024