|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Полупроводники
Влияние фокусировки фононов на теплопроводность гетероструктур GaAs/AlGaAs при низких температурах
И. И. Кулеев Институт физики металлов им. М.Н. Михеева УрО РАН, г. Екатеринбург
Аннотация:
Исследовано влияние анизотропии упругих свойств на теплопроводность гетероструктур GaAs/AlGaAs при низких температурах. Проанализировано влияние фокусировки фононов на анизотропию теплопроводности. Определены параметры зеркальности отражения фононов от границ гетероструктур, характеризующие тепловой поток в режиме кнудсеновского течения фононного газа. Рассчитаны угловые зависимости длин свободного пробега фононов различных поляризаций, определяющих анизотропию теплопроводность гетероструктур с ориентациями плоскостей $\{100\}$ и $\{110\}$.
Поступила в редакцию: 01.10.2018
Образец цитирования:
И. И. Кулеев, “Влияние фокусировки фононов на теплопроводность гетероструктур GaAs/AlGaAs при низких температурах”, Физика твердого тела, 61:3 (2019), 426–432; Phys. Solid State, 61:3 (2019), 292–298
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt8876 https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v61/i3/p426
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 46 | PDF полного текста: | 20 |
|