|
Сегнетоэлектричество
Реакция диэлектрических параметров пленок (110)SrTiO$_{3}$ на формирование в их объеме сегнетоэлектрических доменов
Ю. А. Бойков, В. А. Данилов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Трехслойные гетероструктуры SrRuO$_{3}$/SrTiO$_{3}$/SrRuO$_{3}$ выращены методом лазерного испарения на подложках (110)LaAlO$_{3}$. Фотолитография и ионное травление использованы при формировании плоскопараллельных пленочных конденсаторов, в которых слой титаната стронция помещен между двух пленочных электродов из рутената стронция. Получены данные о структуре и ориентации промежуточного слоя SrTiO$_{3}$ в выращенных гетероструктурах. Исследовано изменение диэлектрической проницаемости и диэлектрических потерь промежуточного слоя SrTiO$_{3}$ при варьировании температуры и напряженности внешнего электрического поля.
Ключевые слова:
диэлектрическая проницаемость, диэлектрические потери.
Поступила в редакцию: 08.04.2019 Исправленный вариант: 08.04.2019 Принята в печать: 09.04.2019
Образец цитирования:
Ю. А. Бойков, В. А. Данилов, “Реакция диэлектрических параметров пленок (110)SrTiO$_{3}$ на формирование в их объеме сегнетоэлектрических доменов”, Физика твердого тела, 61:8 (2019), 1480–1482; Phys. Solid State, 61:8 (2019), 1425–1427
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt8728 https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v61/i8/p1480
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 45 | PDF полного текста: | 16 |
|