|
Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)
Сегнетоэлектричество
Влияние глубины переохлаждения на релаксацию доменной структуры триглицинсульфата
О. Ю. Мазур, Л. И. Стефанович Институт физики горных процессов НАН Украины, Днепр-5, Украина
Аннотация:
Рассмотрен процесс формирования и эволюции доменной структуры в кристаллах триглицинсульфата (ТГС) после быстрого охлаждения в окрестности точки Кюри $T_{C}$. Получено аналитическое выражение для временной зависимости характерного среднего размера домена, которое позволяет проследить процесс укрупнения доменной структуры на всех стадиях ее релаксации к состоянию термодинамического равновесия. Показано, что средний размер домена растет по закону квадратного корня, что хорошо согласуется с известными экспериментальными данными. Установлено, что скорость роста доменной структуры зависит от глубины переохлаждения образца. Полученная в работе зависимость характерного среднего размера домена от времени позволяет определить радиус межмолекулярного взаимодействия исследуемых кристаллов.
Ключевые слова:
быстрозакаленная сегнетоэлектрическая система, глубина переохлаждения, эврлюция доменной структуры, релаксация, триглицинсульфат.
Поступила в редакцию: 11.03.2019 Исправленный вариант: 11.03.2019 Принята в печать: 02.04.2019
Образец цитирования:
О. Ю. Мазур, Л. И. Стефанович, “Влияние глубины переохлаждения на релаксацию доменной структуры триглицинсульфата”, Физика твердого тела, 61:8 (2019), 1474–1479; Phys. Solid State, 61:8 (2019), 1420–1424
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt8727 https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v61/i8/p1474
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 40 | PDF полного текста: | 7 |
|