Влияние электронного и дырочного допирования на транспортные характеристики халькогенидных систем

Проведены исследования электрических свойств и эффекта Холла в полупроводниковых соединениях Ag$_{0.01}$Mn$_{0.99}$S и Tm$_{0.01}$Mn$_{0.99}$S в интервале температур 80–400 K в магнитном поле 12 kOe. Установлен механизм проводимости, зависящий от типа допирования и концентрации из вольт-амперных характеристик. При замещении марганца серебром найден моттовский тип, а замещение тулием вызывает омическую проводимость. Из константы Холла найдена подвижность и тип носителей заряда.