Электронная структура термически окисленного вольфрама

С помощью метода фотоэлектронной спектроскопии проведены исследования in situ в сверхвысоком вакууме электронной структуры чистой поверхности вольфрама, окисленного при давлении кислорода 1 Torr и температуре 1000 K. Изучены спектры фотоэмиссии из валентной зоны и остовных уровней O 1$s$, O 2$s$, W 4$f$ при синхротронном возбуждении в диапазоне энергий фотонов 80–600 eV. Найдено, что формируется полупроводниковая пленка окисла вольфрама, которая содержит различные окислы вольфрама со степенью окисления от 6+ до 4+. На поверхности образуются в основном окислы вольфрама со степенью окисления 6+, доля которых постепенно уменьшается по мере удаления от поверхности с увеличением окислов вольфрама со степенью окисления 4+.