Формирование интерметаллида Cu$_6$Sn$_5$ в тонких пленках Cu/Sn

Исследовано формирование интерметаллида Cu$_6$Sn$_5$ в двухслойных тонких пленках Sn(55 nm)/Cu(30 nm) при нагреве непосредственно в колонне просвечивающего электронного микроскопа (режим дифракции электронов) от комнатной температуры до 300$^\circ$C с фиксацией электронограмм. Полученные в результате твердофазной реакции пленки были монофазными и состояли из гексагональной $\eta$-Cu$_6$Sn$_5$ фазы. Установлен температурный интервал образования $\eta$-Cu$_6$Sn$_5$ фазы (95–260$^\circ$C). На основании проведенной оценки эффективного коэффициента взаимной диффузии при реакции (5$\cdot$10$^{-16}$ m$^{2}$/s) предположено, что основным механизмом образования тонких пленок Cu$_6$Sn$_5$ является диффузия по границам зерен и дислокациям.