Поляризационное разделение нелинейно-оптических механизмов в GaAs в области примесного поглощения

Эспериментальная методика, основанная на анализе состояния поляризации обращенной волны при вырожденном четырехволновом взаимодействии впервые применена для исследования процессов формирования голограмм в кристаллах полуизолирующего GaAs под действием мощных пикосекундных импульсов. Показано, что в рассматриваемых условиях наряду с фоторефрактивной голограммой в кристалле формируется также и фазовая несмещенная решетка, обусловленная сдвигом плазменной частоты при фотогенерации значительного числа свободных носителей (решетка Друде$-$Лоренца).