Электронные состояния в аморфном полупроводнике с подвижными примесями. Термостимулированные процессы $a$-Si : H

Экспериментально исследованы электрические и оптические свойства гидрогенизированного аморфного кремния в условиях высокой подвижности атомов водорода (при температурах порядка и выше комнатной). Измеренные величины обнаруживают нетривиальные температурные зависимости, обусловленные изменениями структуры при термостимулированной диффузии водорода. Развита феноменологическая модель изменения электронных свойств аморфного полупроводника при структурных перестройках. Она основана на рассмотрении ансамбля случайных двухъямных потенциалов, переходы в которых меняют электронные состояния. Предложена микроскопическая интерпретация, основанная на учете прямого взаимодействия подвижных атомов примеси с локализованными электронами. Это взаимодействие ответственно за образование флуктуонных состояний, структура и свойства которых определяются случайным характером потенциального рельефа примесных атомов в аморфном веществе. Изменения электронных и оптических свойств аморфного полупроводника связаны с диффузионными процессами образования и распада флуктуонных состояний.