Роль малоугловых границ в изменении рекомбинационной активности глубоких центров кристаллов $n$-Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te под действием ультразвука

Методом релаксацип фотопроводимости (${\lambda = 10.6}$ мкм) исследованы температурные (77$-$200 K) зависимости времени жизни неравновесных носителей заряда в подвергнутых ультразвуковой обработке кристаллах $n$-Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te ($x \sim 0.22$) с линейной плотностью малоугловых границ в пределах 10$-$80 см$^{-1}$. На основании данных о параметрах центров рекомбинации ($E_{a}\simeq 32\div 64$ мэВ, $Na\simeq 10^{14}{-}10^{16}$ см$^{-3}$, $C_{n} \simeq (0.6\div 4.2)\cdot 10^{-9}$ см$^{3}$/с) и электрофизических характеристик ($n_{0}$, $\mu_{n}$), их изменений в зависимости от режимов ультразвуковой обработки рассмотрены возможные механизмы УЗ преобразований в системе точечных структурных дефектов данных кристаллов.