Люминесценция гексагонального селенида цинка при сильном оптическом возбуждении

Исследован спектр экситонной люминесценции гексагонального селенида цинка в условиях сильного возбуждения импульсами азотного лазера. При 4 K и интенсивностях $1{-}10^{2}$ кВт/см$^{2}$ в спектре наряду с люминесценцией свободного экситона наблюдается излучение экситонных молекул, а в тех же условиях возбуждения при 80 K — излучение при экситон-экситонных столкновениях. При интенсивностях возбуждения $2\cdot 10^{2}$ кВт/см$^{2}$ и выше в температурном интервале 4$-$300 K в спектре излучения присутствует единственная полоса, имеющая характерные свойства излучения ЭДП, Оценены эффективные температуры ННЗ и $LO$-фононов, получены энергии связи экситонной молекулы 4 мэВ и основного экситонного состояния 20 мэВ гексагонального селенида цинка.