|
Физика твердого тела, 1990, том 32, выпуск 4, страницы 1194–1200
(Mi ftt6058)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Захват фотоэлектронов на дефекты поверхности при фотоэмиссии из арсенида галлия в вакуум
В. И. Белиничер, А. Г. Паулиш, И. В. Рыженкова, А. С. Терехов, С. В. Шевелев Институт физики полупроводников СО АН СССР, г. Новосибирск
Аннотация:
Изучаются причины ограничения вероятности выхода электрона в вакуум из полупроводника с отрицательным электронным сродством. С этой целью проведены численное моделирование и экспериментальное исследование спектров квантового выхода арсенида галлия с небольшим, но положительным электронным сродством. Форма этих спектров с явно выраженными вкладами в фототок термализованных и горячих электронов $\Gamma$-долины оказалась чувствительной к характеру взаимодействия фотоэлектронов с поверхностью. Сравнение рассчитанных и измеренных спектров показало, что основным процессом, лимитирующим вероятность эмиссии, является не отражение, а захват электронов поверхностью.
Поступила в редакцию: 09.11.1989
Образец цитирования:
В. И. Белиничер, А. Г. Паулиш, И. В. Рыженкова, А. С. Терехов, С. В. Шевелев, “Захват фотоэлектронов на дефекты поверхности при фотоэмиссии из арсенида галлия в вакуум”, Физика твердого тела, 32:4 (1990), 1194–1200
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt6058 https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v32/i4/p1194
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 82 | PDF полного текста: | 28 |
|