Захват фотоэлектронов на дефекты поверхности при фотоэмиссии из арсенида галлия в вакуум

Изучаются причины ограничения вероятности выхода электрона в вакуум из полупроводника с отрицательным электронным сродством. С этой целью проведены численное моделирование и экспериментальное исследование спектров квантового выхода арсенида галлия с небольшим, но положительным электронным сродством. Форма этих спектров с явно выраженными вкладами в фототок термализованных и горячих электронов $\Gamma$-долины оказалась чувствительной к характеру взаимодействия фотоэлектронов с поверхностью. Сравнение рассчитанных и измеренных спектров показало, что основным процессом, лимитирующим вероятность эмиссии, является не отражение, а захват электронов поверхностью.