Максимальная низкотемпературная подвижность двумерного электронного газа в гетероструктурах с толстым спейсерным слоем

Представлен расчет подвижности двумерного электронного газа (ДЭГ), ограниченной рассеянием электронов на удаленных примесях, с учетом корреляции в пространственном распределении заряженных примесей, вызванной их кулоновским взаимодействием. Корреляционная функция заряда характеризуется температурой «замораживания» $T_{0}$. Предполагается, что низкотемпературное распределение заряженных примесей является «мгновенной фотографией» их равновесного распределения при этой температуре. При достаточно низких $T_{0}$ система, состоящая из заряженных и нейтральных примесей, близка к своему основному состоянию. Показано, что корреляция в распределении заряженных примесей наиболее существенна при низких $T_{0}$ и большой толщине спейсерного слоя. Проведены численные расчеты для модуляционно-легированной гетероструктуры Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As/GaAs.