Локализация электромагнитных возбуждений в неупорядоченном слоистом диэлектрике

Рассмотрена задача об одномерной андерсоновской локализации фотонов в среде с диэлектрическими рассеивателями в виде одинаковых параллельных друг другу пластин, расположенных хаотически. Коэффициент диффузии и длина экспоненциальной локализации световых волн выражены через концентрацию рассеивателей и коэффициент отражения света отдельной пластиной. Показано, что длины свободного пробега и локализации световых волн в зависимости от частоты и толщины пластин расходятся в дискретных точках, соответствующих полному пропусканию света отдельными пластинами.