$P$-полоса и люминесценция биэкситонов в CdS

Исследованы спектры излучения и возбуждения $P$-полосы [1] в чистых кристаллах CdS при плотности мощности лазерного возбуждения $1{-}100\,\text{кВт/см}^{2}$, температуре от 1.8 до 30 K и электрических полях до 1500 В/см. Показано, что интенсивность $P$-полосы возрастает при резонансном двухфотонном возбуждении биэкситонов и падает с ростом температуры или электрического поля. Полученные результаты подтверждают предложенную в [2-4] модель излучательной рекомбинации биэкситонов в CdS.