Пьезоспектроскопия многоэкситонно-примесных комплексов в $\beta$-SiC

На основе анализа поведения спектров излучения кристаллов $\beta$-SiC, легированных азотом, при изменении величины одноосной деформации вдоль осей $\langle112\rangle$ и $\langle110\rangle$, плотности возбуждения и температуры найдено, что основные свойства многоэкситоннопримесных комплексов (МЭПК) в $\beta$-SiC, так же как и в Si, описываются в рамках одноэлектронной оболочечной модели. Обнаружено качественное различие в зависимости энергий связи МЭПК с тремя и четырьмя дырками от величины одноосного сжатия кристаллов в случаях $\beta$-SiC и Si. Показано, что оно обусловлено разными величинами энергий дырок в $2p$-состояниях у МЭПК в этих кристаллах. Обсуждается расщепление одноэлектронных состояний у МЭПК из-за межчастичного взаимодействия.