Квантовый эффект Холла в полуметаллических тонкопленочных структурах

Теоретически рассмотрены зависимости концентрации носителей $n$ и холловской проводимости $\sigma_{xy}$ тонких полуметаллических пленок с равными концентрациями электронов и дырок от напряженности сильного магнитного поля $H$, направленного по нормали к пленке. Показано, что при выполнении условии как магнитного, так и размерного квантования для обоих типов носителей система в определенных интервалах $H$ ведет себя как идеальный диэлектрик. Если же условия квантования выполнены лишь для одного типа носителей, то зависимость $\sigma_{xy}(H)$ носит ступенчатый характер, типичный для квантового эффекта Холла, но в ряде случаев содержащий также поправки, связанные с неквантованными носителями.