Сверхпроводимость аморфного кремния при высоком давлении

Исследован переход полупроводник–металл в аморфном кремнии ($a$-Si), полученном вакуумным напылением, в камере высокого давления «конус–плоскость», изготовленной из искусственных поликристаллических алмазов типа «карбонадо».
Обнаружено, что критическая температура сверхпроводящего перехода ($T_{c}$) металлической модификации $a$ = Si, полученной под давлением при 4.2 K, при возрастании усилия, приложенного к камере, не зависит от него и равна ${T_{1}=(11.8\pm0.3)}$ K. При уменьшении усилия $T_{c}$ плавно возрастает до величины ${T_{2}=(13.4\pm0.3)}$ K. Такое поведение $T_{c}$ воспроизводится при многократном повышении и понижении нагрузки при 4.2 K. Состояния с ${T_{c}=T_{1}}$ и ${T_{c}=T_{2}}$ нестабильны по отношению к нагреву при постоянном давлении до 300 и 77 K соответственно.