|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2017 |
| 1. |
М. А. Ройз, А. Н. Баранов, А. Н. Именков, Д. С. Буренина, А. А. Пивоварова, А. М. Монахов, Е. А. Гребенщикова, Ю. П. Яковлев, “Коллективные моды в сдвоенных полупроводниковых дисковых лазерах на модах шепчущей галереи”, Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017), 1273–1277   ; M. A. Royz, A. N. Baranov, A. N. Imenkov, D. S. Burenina, A. A. Pivovarova, A. M. Monakhov, E. A. Grebenshchikova, Yu. P. Yakovlev, “Collective modes in coupled semiconductor disk lasers in the case of whispering-gallery modes”, Semiconductors, 51:9 (2017), 1224–1228 |
|
1993 |
| 2. |
Ю. П. Яковлев, А. Н. Баранов, А. Н. Именков, В. В. Шерстнев, Е. В. Степанов, Я. Я. Понуровский, “Инжекционные лазеры на основе InAsSb/lnAsSbP для спектроскопии высокого разрешения”, Квантовая электроника, 20:9 (1993), 839–842 [Yu. P. Yakovlev, A. N. Baranov, A. N. Imenkov, V. V. Sherstnev, E. V. Stepanov, Ya. Ya. Ponurovskii, “InAsSb/InAsSbP injection lasers for high-resolution spectroscopy”, Quantum Electron., 23:9 (1993), 726–729  ] |
6
|
|
1992 |
| 3. |
А. Н. Баранов, С. Ю. Белкин, Т. Н. Данилова, О. Г. Ершов, А. Н. Именков, Ю. П. Яковлев, “Природа длинноволнового сдвига спектра когерентного излучения
в гетеролазерах на основе GaInAsSb”, Физика и техника полупроводников, 26:11 (1992), 1971–1976 |
|
1991 |
| 4. |
А. А. Андаспаева, А. Н. Баранов, Б. Л. Гельмонт, Б. Е. Джуртанов, Г. Г. Зегря, А. Н. Именков, Ю. П. Яковлев, С. Г. Ястребов, “Исследование температурной зависимости пороговой плотности тока ДГС
лазеров на основе GaInAsSb”, Физика и техника полупроводников, 25:3 (1991), 394–401 |
| 5. |
А. Н. Баранов, В. А. Васильев, А. А. Копылов, В. В,Шерстнев, “Оптическое отражение и определение характеристик эпитаксиальных
структур InAs$_{1-x-y}$Sb$_{x}$P$_{y}$/InAs”, Физика и техника полупроводников, 25:1 (1991), 99–101 |
|
1990 |
| 6. |
А. Н. Баранов, А. В. Кривоносенко, “Влияние распределения поля в проводящей среде на напряжение
поверхностного пробоя и изоляторов коаксиальной системы”, ЖТФ, 60:9 (1990), 167–169 |
| 7. |
А. А. Андаспаева, А. Н. Баранов, А. А. Гусейнов, А. Н. Именков, Н. М. Колчанова, Ю. П. Яковлев, “Природа спонтанной электролюминесценции в гетеросветодиодах на основе
GaInAsSb для спектрального диапазона $1.8{-}2.4$ мкм”, Физика и техника полупроводников, 24:10 (1990), 1708–1714 |
| 8. |
А. Н. Баранов, Т. И. Воронина, А. Н. Дахно, Б. Е. Джуртанов, Т. С. Лагунова, М. А. Сиповская, Ю. П. Яковлев, “Кластерные образования в эпитаксиальных слоях твердых растворов
$p$-GaInSbAs, выращенных на подложках $n$-GaSb : Te”, Физика и техника полупроводников, 24:6 (1990), 1072–1078 |
|
1989 |
| 9. |
Т. С. Аргунова, А. Н. Баранов, С. С. Рувимов, Л. М. Сорокин, В. В. Шерстнев, “Механизмы релаксации напряжений несоответствия в гетероструктурах In$_{1-x}$Ga$_{x}$As$_{1-y}$Sb$_{y}$/GaSb (${x\sim0.1}$, ${y\sim0.2}$)”, Физика твердого тела, 31:8 (1989), 158–163 |
| 10. |
А. А. Андаспаева, А. Н. Баранов, Е. А. Гребенщикова, А. А. Гусейнов, А. Н. Именков, А. А. Рогачев, Г. М. Филаретова, Ю. П. Яковлев, “Спонтанная электролюминесценция в гетеропереходах II типа
на основе GaInAsSb/GaSb (${\lambda=2.5}$ мкм, ${T=300}$ K)”, Физика и техника полупроводников, 23:8 (1989), 1373–1377 |
| 11. |
А. Н. Баранов, Т. И. Воронина, Т. С. Лагунова, И. Н. Тимченко, З. И. Чугуева, В. В. Шерстнев, Ю. П. Яковлев, “Кинетика изменения концентрации структурных дефектов и их роль
в рассеянии дырок в $p$-GaSb”, Физика и техника полупроводников, 23:5 (1989), 780–786 |
|
1988 |
| 12. |
А. Н. Баранов, Т. Н. Данилова, Б. Е. Джуртанов, А. Н. Именков, О. Г. Ершов, Ю. П. Яковлев, “Спектры когерентного излучения полосковых лазеров на основе
GaInAsSb”, ЖТФ, 58:8 (1988), 1623–1626 |
|
1987 |
| 13. |
Т. С. Аргунова, А. Н. Баранов, Б. Е. Джуртанов, Г. Н. Мосина, И. Л. Шульпина, Ю. П. Яковлев, “Дефектообразование в GaAlSb/GaSb структурах для фотодиодов”, ЖТФ, 57:2 (1987), 316–321 |
| 14. |
А. Н. Баранов, Т. И. Воронина, Т. С. Лагунова, В. В. Шерстнев, Ю. П. Яковлев, “Изменение концентрации природных акцепторов в $Ga\,Sb$”, Письма в ЖТФ, 13:18 (1987), 1103–1108 |
| 15. |
А. Н. Баранов, Б. Е. Джуртанов, А. Н. Именков, А. М. Литвак, Ю. П. Яковлев, “Влияние длины резонатора на электролюминесцентные свойства лазеров на основе $Ga\,In\,As\,Sb$”, Письма в ЖТФ, 13:9 (1987), 517–523 |
| 16. |
И. А. Андреев, М. А. Афраилов, А. Н. Баранов, М. А. Мирсагатов, М. П. Михайлова, Ю. П. Яковлев, “Лавинное умножение в фотодиодных структурах на основе твердых растворов $Ga\,In\,As\,Sb$”, Письма в ЖТФ, 13:8 (1987), 481–485 |
| 17. |
А. Н. Баранов, Б. Е. Джуртанов, А. Н. Именков, И. Н. Тимченко, Ю. П. Яковлев, “Проявление самосогласованных квантово-размерных потенциальных ям в электролюминесцентных свойствах лазеров на основе $Ga\,In\,As\,Sb$”, Письма в ЖТФ, 13:8 (1987), 459–464 |
|
1986 |
| 18. |
А. Н. Баранов, Б. Е. Джуртанов, А. Н. Именков, А. А. Рогачев, Ю. М. Шерняков, Ю. П. Яковлев, “Генерация когерентного излучения в квантово-размерной
структуре на одном гетеропереходе”, Физика и техника полупроводников, 20:12 (1986), 2217–2221 |
| 19. |
И. А. Андреев, М. А. Афраилов, А. Н. Баранов, В. Г. Данильченко, М. А. Мирсагатов, М. П. Михайлова, Ю. П. Яковлев, “Фотодиоды на основе твердых растворов $Ga\,In\,As\,Sb/Ga\,Al\,As\,Sb$”, Письма в ЖТФ, 12:21 (1986), 1311–1315 |
| 20. |
А. Н. Баранов, Б. Е. Джуртанов, А. Н. Именков, А. А. Рогачев, Ю. М. Шерняков, Ю. П. Яковлев, “Квантово-размерный лазер с одиночным гетеропереходом”, Письма в ЖТФ, 12:11 (1986), 664–668 |
| 21. |
А. Н. Баранов, Б. Е. Джуртанов, А. Н. Именков, Ю. М. Шерняков, Ю. П. Яковлев, “Инжекционный ($Ga\,Al\,As\,Sb/Ga\,Sb/Ga\,In\,As\,Sb$) гетеролазер с $2^x$ канальным волноводом (ДГС 2KB $\lambda=2$ мкм), работающий при комнатной температуре”, Письма в ЖТФ, 12:9 (1986), 557–561 |
|
1985 |
| 22. |
И. А. Андреев, А. Н. Баранов, М. З. Жингарев, В. И. Корольков, М. П. Михайлова, Ю. П. Яковлев, “Темновые токи в диодных структурах
GaAlSb(As) «резонансного» состава”, Физика и техника полупроводников, 19:9 (1985), 1605–1611 |
|
1983 |
| 23. |
Ю. Ю. Абдурахманов, А. Н. Баранов, Ю. П. Яковлев, “Исследование капиллярного эффекта в системе
Ga$-$Al$-$As/GaAs”, ЖТФ, 53:11 (1983), 2224–2226 |
|
Обратная связь: