|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2016 |
| 1. |
А. Ш. Абдинов, Р. Ф. Бабаева, Р. М. Рзаев, Н. А. Рагимова, С. И. Амирова, “К вопросу об электрофизических свойствах монокристаллов $n$-InSe”, Физика и техника полупроводников, 50:1 (2016), 35–38   ; A. Sh. Abdinov, R. F. Babayeva, R. M. Rzaev, N. A. Ragimova, S. I. Amirova, “On the specific electrophysical properties of $n$-InSe single crystals”, Semiconductors, 50:1 (2016), 34–37 |
8
|
|
1992 |
| 2. |
Г. И. Абуталыбов, С. З. Джафарова, Н. А. Рагимова, Э. И. Мехтиев, “Взаимодействие ультраузких линий излучения с оптическими и акустическими фононами в кристалле TlGaS$_{2}$”, Физика твердого тела, 34:6 (1992), 1711–1712  |
|
1991 |
| 3. |
С. З. Джафарова, Н. А. Рагимова, Г. И. Абуталыбов, Б. А. Натиг, “Спектроскопия внутрицентровых переходов и экситонов кристалла TlGaS$_{2}{-}$Nd$_{2}$S$_{3}$”, Физика твердого тела, 33:3 (1991), 725–729 |
| 4. |
Н. А. Рагимова, С. З. Джафарова, Г. И. Абуталыбов, “Экситоны в кристаллах InSe, активированных селенидами Но и Dy”, Квантовая электроника, 18:7 (1991), 844–845 [N. A. Ragimova, S. Z. Dzhafarova, G. I. Abutalybov, “Excitons in InSe crystals activated with Ho and Dy selenides”, Sov J Quantum Electron, 21:7 (1991), 763–764 ] |
|
1989 |
| 5. |
Г. И. Абуталыбов, Л. С. Ларионкина, Н. А. Рагимова, “Экситоны в поглощении и фотопроводимости монокристалла TlGaSe$_{2}$”, Физика твердого тела, 31:11 (1989), 312–313 |
|
Обратная связь: