|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1979 |
| 1. |
В. И. Молочев, К. Н. Нарзуллаев, В. В. Никитин, А. И. Петров, А. С. Семенов, “Влияние ширины активной области инжекционных полупроводниковых лазеров на основе GaAs на одночастотный режим генерации”, Квантовая электроника, 6:4 (1979), 797–802  [V. I. Molochev, K. N. Narzullaev, V. V. Nikitin, A. I. Petrov, A. S. Semenov, “Effect of the active region width in GaAs semiconductor injection lasers on single-frequency stimulated emission conditions”, Sov J Quantum Electron, 9:4 (1979), 472–475] |
2
|
|
1978 |
| 2. |
В. С. Каргапольцев, Е. П. Малыгин, В. К. Малышев, В. И. Молочев, К. Н. Нарзуллаев, В. В. Никитин, А. С. Семенов, О. Н. Таленский, “Излучательные характеристики одноканального инжекционного лазера на основе GaAs”, Квантовая электроника, 5:1 (1978), 211–214 [V. S. Kargapol'tsev, E. P. Malygin, V. K. Malyshev, V. I. Molochev, K. N. Narzullaev, V. V. Nikitin, A. S. Semenov, O. N. Talenskiǐ, “Radiative characteristics of a single-channel GaAs injection laser”, Sov J Quantum Electron, 8:1 (1978), 130–132] |
|
1977 |
| 3. |
Н. Г. Басов, В. С. Каргапольцев, Е. П. Малыгин, В. К. Малышев, В. И. Молочев, К. Н. Нарзуллаев, В. В. Никитин, А. С. Семенов, О. Н. Таленский, “Одночастотный инжекционный полупроводниковый лазер на основе GaAs”, Квантовая электроника, 4:8 (1977), 1815–1816 [N. G. Basov, V. S. Kargapol'tsev, E. P. Malygin, V. K. Malyshev, V. I. Molochev, K. N. Narzullaev, V. V. Nikitin, A. S. Semenov, O. N. Talenskiǐ, “Single-frequency GaAs injection laser”, Sov J Quantum Electron, 7:8 (1977), 1034] |
|
Обратная связь: