|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2017 |
| 1. |
Э. А. Сенокосов, В. И. Чукита, Р. А. Хамидуллин, В. Н. Чебан, И. Н. Один, М. В. Чукичев, “Экспериментальное и теоретическое исследования характеристик позиционно-чувствительных фотоприемников на основе эпитаксиальных слоев $n$-CdSe/слюда”, Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017), 689–694   ; È. A. Senokosov, V. I. Chukita, R. A. Khamidullin, V. N. Cheban, I. N. Odin, M. V. Chukichev, “Experimental and theoretical studies of the characteristics of position-sensitive photodetectors based on $n$-CdSe/mica epitaxial layers”, Semiconductors, 51:5 (2017), 657–662 |
4
|
|
1991 |
| 2. |
В. С. Вавилов, А. А. Клюканов, Э. А. Сенокосов, Л. Э. Чиботару, М. В. Чукичев, “Краевое излучение ZnSe при взаимодействии носителей заряда и плазмон-фононных возбуждений”, Физика твердого тела, 33:1 (1991), 63–68  |
|
1989 |
| 3. |
В. С. Вавилов, А. А. Клюканов, Н. М. Павленко, Сабри Джасин Мухаммед, Э. А. Сенокосов, В. Г. Стойкова, М. В. Чукичев, “Излучение электронно-дырочной плазмы в сильно возбужденных пленках ZnTe/Al$_{2}$O$_{3}$”, Физика твердого тела, 31:10 (1989), 132–139 |
| 4. |
А. А. Клюканов, Э. А. Сенокосов, В. М. Федоров, “Коллективные процессы в примесном рекомбинационном излучении
прямозонных полупроводников”, Физика и техника полупроводников, 23:3 (1989), 542–545 |
|
1988 |
| 5. |
В. С. Вавилов, А. А. Клюканов, Э. А. Сенокосов, Л. Э. Чиботару, М. В. Чукичев, “Многоплазмонные оптические переходы в невырожденной электронно-дырочной плазме прямозонных полупроводников”, Физика твердого тела, 30:2 (1988), 614–617 |
|
1987 |
| 6. |
А. А. Клюканов, Э. А. Сенокосов, “Многоплазмонная люминесценция невырожденной электронно-дырочной
плазмы в полупроводниках при высоких уровнях возбуждения”, Физика и техника полупроводников, 21:11 (1987), 2103–2106 |
|
1986 |
| 7. |
В. С. Вавилов, Э. А. Сенокосов, М. В. Чукичев, “Особенности перестройки спектров краевой катодолюминесценции сильно возбужденных эпитаксиальных пленок селенида цинка”, Физика твердого тела, 28:9 (1986), 2614–2620 |
|
1985 |
| 8. |
By ЗоанМьен, Э. А. Сенокосов, В. Г. Стойкова, А. Н. Усатый, М. В. Чукичев, “Об участии плазмонов в излучении электронно-дырочной плазмы
эпитаксиальных слоев ZnSe”, Физика и техника полупроводников, 19:9 (1985), 1571–1576 |
| 9. |
Э. А. Сенокосов, А. Н. Усатый, “Особенности рекомбинационных процессов в эпитаксиальных
фотопроводящих слоях ZnTe”, Физика и техника полупроводников, 19:3 (1985), 434–437 |
|
1984 |
| 10. |
Э. А. Сенокосов, В. Г. Стойкова, А. Н. Усатый, М. В. Чукичев, “О структуре краевой люминесценции эпитаксиальных пленок ZnTe
на сапфире”, Физика и техника полупроводников, 18:6 (1984), 1120–1123 |
|
1981 |
| 11. |
А. В. Дуденкова, А. С. Насибов, Э. А. Сенокосов, С. Д. Скорбун, Ю. М. Попов, А. Н. Усатый, В. М. Царан, “Лазерные экраны из монокристаллических пленок ZnSe и ZnTe, выращенных на сапфире”, Квантовая электроника, 8:6 (1981), 1380–1382 [A. V. Dudenkova, A. S. Nasibov, È. A. Senokosov, S. D. Skorbun, Yu. M. Popov, A. N. Usatyǐ, V. M. Tsaran, “Laser screens made of single-crystal ZnSe and ZnTe films grown on sapphire”, Sov J Quantum Electron, 11:6 (1981), 836–837 ] |
2
|
|
Обратная связь: