|
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)
Физика полупроводниковых приборов
Экспериментальное и теоретическое исследования характеристик позиционно-чувствительных фотоприемников на основе эпитаксиальных слоев $n$-CdSe/слюда
Э. А. Сенокосовa, В. И. Чукитаa, Р. А. Хамидуллинa, В. Н. Чебанa, И. Н. Одинb, М. В. Чукичевb a Приднестровский государственный университет им. Т. Г. Шевченко, г. Тирасполь
b Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова
Аннотация:
Приведены экспериментальные результаты исследования выходных характеристик четырехконтактных полупроводниковых позиционно-чувствительных фотоприемников, изготовленных на основе эпитаксиальных фоточувствительных слоев $n$-CdSe/слюда. Проведен теоретический анализ позиционной чувствительности слоев на основе элементарной теории токопротекания и модели электрического диполя. Установлено, что теоретические характеристики координатной чувствительности исследованных позиционно-чувствительных фотоприемников коррелируют с экспериментальными зависимостями как по форме кривых, так и положению максимумов. Результаты определения удельной спектральной чувствительности свидетельствуют о перспективности слоев $n$-CdSe в качестве позиционно-чувствительных фотоприемников.
Поступила в редакцию: 15.09.2016 Принята в печать: 02.11.2016
Образец цитирования:
Э. А. Сенокосов, В. И. Чукита, Р. А. Хамидуллин, В. Н. Чебан, И. Н. Один, М. В. Чукичев, “Экспериментальное и теоретическое исследования характеристик позиционно-чувствительных фотоприемников на основе эпитаксиальных слоев $n$-CdSe/слюда”, Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017), 689–694; Semiconductors, 51:5 (2017), 657–662
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6168 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i5/p689
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 35 | PDF полного текста: | 15 |
|