|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2016 |
| 1. |
В. Т. Шамирзаев, В. А. Гайслер, Т. С. Шамирзаев, “Краевая и дефектная люминесценция мощных InGaN/GaN ультрафиолетовых светоизлучающих диодов”, Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016), 1513–1518   ; V. T. Shamirzaev, V. A. Gaisler, T. S. Shamirzaev, “Edge and defect luminescence of powerful ultraviolet InGaN/GaN light-emitting diodes”, Semiconductors, 50:11 (2016), 1493–1498 |
2
|
|
2014 |
| 2. |
D. S. Abramkin, V. T. Shamirzaev, M. A. Putyato, A. K. Gutakovskii, T. S. Shamirzaev, “Coexistence of type-I and type-II band alignment in Ga(Sb,P)/GaP
heterostructures with pseudomorphic self-assembled quantum dots”, Письма в ЖЭТФ, 99:2 (2014), 81–86   ; JETP Letters, 99:2 (2014), 76–81 |
9
|
|
Обратная связь: