|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1997 |
1. |
И. А. Авруцкий, Е. М. Дианов, Б. Н. Звонков, Н. Б. Звонков, И. Г. Малкина, Г. А. Максимов, Е. А. Ускова, “Полупроводниковые лазеры на длину волны 980 нм с туннельно-связанными волноводами”, Квантовая электроника, 24:2 (1997), 123–126 [I. A. Avrutskiǐ, E. M. Dianov, B. N. Zvonkov, N. B. Zvonkov, I. G. Malkina, G. A. Maksimov, E. A. Uskova, “Semiconductor lasers with tunnel-coupled waveguides emitting at the wavelength of 980 nm”, Quantum Electron., 27:2 (1997), 118–121 ] |
2
|
|
1994 |
2. |
И. А. Авруцкий, Л. М. Батукова, Е. М. Дианов, Б. Н. Звонков, Н. Б. Звонков, Г. А. Максимов, И. Г. Малкина, Л. В. Медведева, Т. Н. Янькова, “Лазеры с длиной волны излучения 0.98 мкм на основе гетероструктур InGaP/GaAs/InGaAs, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии”, Квантовая электроника, 21:10 (1994), 921–924 [I. A. Avrutskiǐ, L. M. Batukova, E. M. Dianov, B. N. Zvonkov, N. B. Zvonkov, G. A. Maksimov, I. G. Malkina, L. V. Medvedeva, T. N. Yan'kova, “Lasers emitting at a wavelength of 0.98 μm, constructed from InGaP/GaAs heterostructures grown by MOCVD method”, Quantum Electron., 24:10 (1994), 859–862 ] |
4
|
|