|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1983 |
1. |
О. В. Богданкевич, Л. А. Журавлев, А. Д. Коновалов, П. И. Кузнецов, Г. А. Меерович, В. Б. Новиков, Ю. В. Петрушенко, В. Н. Уласюк, В. В. Шемет, “Лазеры с электронным возбуждением на гетероэпитаксиальном селениде цинка, полученном из элементоорганических соединений”, Квантовая электроника, 10:5 (1983), 1007–1009 [O. V. Bogdankevich, L. A. Zhuravlev, A. D. Konovalov, P. I. Kuznetsov, G. A. Meerovich, V. B. Novikov, Yu. V. Petrushenko, V. N. Ulasyuk, V. V. Shemet, “Electron-beam-pumped lasers using heteroepitaxial zinc selenide obtained from organoelemental compounds”, Sov J Quantum Electron, 13:5 (1983), 632–634 ] |
6
|
|
1981 |
2. |
О. В. Богданкевич, С. А. Бондарь, Н. А. Борисов, Д. В. Галченков, Е. В. Невструева, В. Ф. Певцов, Ю. В. Петрушенко, С. С. Стрельченко, В. Н. Цвентух, “Влияние легирования Ga<sub>0,68</sub>Al<sub>0,32</sub>As на катодолюминесценцию и пороговую плотность тока лазера с накачкой электронным пучком”, Квантовая электроника, 8:1 (1981), 201–204 [O. V. Bogdankevich, S. A. Bondar', N. A. Borisov, D. V. Galchenkov, E. V. Nevstrueva, V. F. Pevtsov, Yu. V. Petrushenko, S. S. Strel'chenko, V. N. Tsventukh, “Influence of doping of Ga<sub>0.68</sub>Al<sub>0.32</sub>As on its cathodoluminescence and threshold current density of a laser pumped by an electron beam”, Sov J Quantum Electron, 11:1 (1981), 119–121 ] |
|
1979 |
3. |
В. П. Куклев, Ю. В. Петрушенко, В. Н. Уласюк, В. В. Шубина, “Отпаянный сканирующий полупроводниковый лазер с поперечной накачкой электронным пучком”, Квантовая электроника, 6:2 (1979), 354–357 [V. P. Kuklev, Yu. V. Petrushenko, V. N. Ulasyuk, V. V. Shubina, “Sealed scanning semiconductor laser with transverse electronbeam pumping”, Sov J Quantum Electron, 9:2 (1979), 206–208] |
1
|
|
1976 |
4. |
Л. М. Долгинов, Л. В. Дружинина, Е. М. Красавина, И. В. Крюкова, Е. В. Матвеенко, Ю. В. Петрушенко, С. П. Прокофьева, В. П. Цыганов, Е. Г. Шевченко, “Спонтанное и стимулированное излучение твердых растворов Ga<sub>x</sub>In<sub>1–x</sub>As, GaAs<sub>x</sub>Sb<sub>1–x</sub> и Ga<sub>x</sub>In<sub>1–x</sub>As<sub>1–y</sub>P<sub>y</sub>”, Квантовая электроника, 3:11 (1976), 2490–2494 [L. M. Dolginov, L. V. Druzhinina, E. M. Krasavina, I. V. Kryukova, E. V. Matveenko, Yu. V. Petrushenko, S. P. Prokof'eva, V. P. Tsyganov, E. G. Shevchenko, “Spontaneous and stimulated emission from Ga<sub>x</sub>In<sub>1–x</sub>As, GaAs<sub>x</sub>Sb<sub>1–x</sub>, and Ga<sub>x</sub>In<sub>1–x</sub>As<sub>1–y</sub>P<sub>y</sub> solid solutions”, Sov J Quantum Electron, 6:11 (1976), 1367–1369] |
5. |
И. В. Крюкова, Ю. В. Петрушенко, “Спектральные и мощностные характеристики лазеров с электронным возбуждением на антимониде галлия”, Квантовая электроника, 3:10 (1976), 2205–2214 [I. V. Kryukova, Yu. V. Petrushenko, “Spectral and power characteristics of electron-beam-excited gallium antimonide lasers”, Sov J Quantum Electron, 6:10 (1976), 1199–1204] |
|
1975 |
6. |
Ю. А. Акимов, А. А. Буров, Е. А. Загаринский, И. В. Крюкова, Ю. В. Петрушенко, Б. М. Степанов, “Полупроводниковый квантовый генератор с электронной на качкой на основе Al<sub>x</sub>Ga<sub>1–x</sub>Sb”, Квантовая электроника, 2:1 (1975), 68–72 [Yu. A. Akimov, A. A. Burov, E. A. Zagarinskii, I. V. Kryukova, Yu. V. Petrushenko, B. M. Stepanov, “Electron-beam-pumped Al<sub>x</sub>Ga<sub>1–x</sub>Sb semiconductor laser”, Sov J Quantum Electron, 5:1 (1975), 37–39] |
|
1974 |
7. |
Е. М. Красавина, И. В. Крюкова, Е. В. Матвеенко, Ю. В. Петрушенко, “Исследование фотолюминесценции и параметров лазерного излучения при электронном возбуждении
легированных твердых растворов Al$_x$Ga$_{1-x}$As”, Квантовая электроника, 1:12 (1974), 2602–2607 [E. M. Krasavina, I. V. Kryukova, E. V. Matveenko, Yu. V. Petrushenko, “Investigation of the photoluminescence and parameters of laser radiation generated by electron excitation of Al$_x$Ga$_{1-x}$As solid solutions”, Sov J Quantum Electron, 4:12 (1975), 1446–1449] |
8. |
И. В. Крюкова, О. В. Малышева, Ю. В. Петрушенко, В. А. Смирнов, О. Г. Столяров, Л. Н. Титюник, В. Э. Шнигер, “Влияние дефектов структуры кристаллов на излучательную рекомбинацию арсенида галлия”, Квантовая электроника, 1:3 (1974), 673–675 [I. V. Kryukova, O. V. Malysheva, Yu. V. Petrushenko, V. A. Smirnov, O. G. Stolyarov, L. N. Tityunik, V. È. Shniger, “Influence of structure defects on the radiative recombination in gallium arsenide crystals”, Sov J Quantum Electron, 4:3 (1974), 378–379] |
1
|
9. |
Л. М. Долгинов, Л. В. Дружинина, И. В. Крюкова, Ю. В. Петрушенко, Б. М. Степанов, “Параметры лазеров на Al<sub>x</sub>Ga<sub>1–x</sub>As с электронной накачкой в видимой области спектра”, Квантовая электроника, 1:1 (1974), 178–180 [L. M. Dolginov, L. V. Druzhinina, I. V. Kryukova, Yu. V. Petrushenko, B. M. Stepanov, “Parameters of electron-beam-pumped <nobr>Al<sub>x</sub>Ga<sub>1–x</sub>As</nobr> lasers in the visible part of the spectrum”, Sov J Quantum Electron, 4:1 (1974), 104–105] |
10. |
Ю. А. Акимов, А. А. Буров, В. А. Коваленко, И. В. Крюкова, Т. Ф. Никитина, Ю. В. Петрушенко, Г. В. Родиченко, Б. М. Степанов, В. А. Яковлев, “КГС-3 – лазер с электронной накачкой на антимониде галлия”, Квантовая электроника, 1:1 (1974), 114–118 [Yu. A. Akimov, A. A. Burov, V. A. Kovalenko, I. V. Kryukova, T. F. Nikitina, Yu. V. Petrushenko, G. V. Rodichenko, B. M. Stepanov, V. A. Yakovlev, “KGS-3: An electron-beam-pumped gallium antimonide laser”, Sov J Quantum Electron, 4:1 (1974), 62–64] |
|