|
Квантовая электроника, 1983, том 10, номер 5, страницы 1007–1009
(Mi qe4242)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)
Краткие сообщения
Лазеры с электронным возбуждением на гетероэпитаксиальном селениде цинка, полученном из элементоорганических соединений
О. В. Богданкевич, Л. А. Журавлев, А. Д. Коновалов, П. И. Кузнецов, Г. А. Меерович, В. Б. Новиков, Ю. В. Петрушенко, В. Н. Уласюк, В. В. Шемет Всесоюзный научно-исследовательский центр по изучению свойств поверхности и вакуума, Москва
Аннотация:
Приведены исследования возможности использования гетероэпитаксиальных пленок ZnSe, выращенных на подложках из GaAs методом газофазного химического осаждения из элементоорганических соединений в качестве активной среды полупроводниковых лазеров с накачкой электронным пучком. Исследованы характеристики активных элементов при поперечной и продольной геометрии возбуждения,
рассмотрены пути их улучшения.
Поступила в редакцию: 12.04.1982 Исправленный вариант: 25.06.1982
Образец цитирования:
О. В. Богданкевич, Л. А. Журавлев, А. Д. Коновалов, П. И. Кузнецов, Г. А. Меерович, В. Б. Новиков, Ю. В. Петрушенко, В. Н. Уласюк, В. В. Шемет, “Лазеры с электронным возбуждением на гетероэпитаксиальном селениде цинка, полученном из элементоорганических соединений”, Квантовая электроника, 10:5 (1983), 1007–1009 [Sov J Quantum Electron, 13:5 (1983), 632–634]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe4242 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v10/i5/p1007
|
|