|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2018 |
| 1. |
В. Б. Куликов, Д. В. Маслов, А. Р. Сабиров, А. А. Солодков, А. Л. Дудин, Н. И. Кацавец, И. В. Коган, И. В. Шуков, В. П. Чалый, “NBn-фотодиод на основе InAsSb/AlAsSb-твердых растворов с длинноволновой границей 5 мкм”, Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018), 1636–1640   ; V. B. Kulikov, D. V. Maslov, A. R. Sabirov, A. A. Solodkov, A. L. Dudin, N. I. Katsavets, I. V. Kogan, I. V. Shukov, V. P. Chalyi, “NBn-photodiode based on InAsSb/AlAsSb alloys with a long-wavelength cutoff of 5 $\mu$m”, Semiconductors, 52:13 (2018), 1743–1747 |
4
|
|
1998 |
| 2. |
Д. М. Демидов, Н. И. Кацавец, А. Л. Тер-Мартиросян, В. П. Чалый, “Мощные высокостабильные лазерные диоды для накачки твердотельных лазеров”, Квантовая электроника, 25:9 (1998), 789–791 [D. M. Demidov, N. I. Katsavets, A. L. Ter-Martirosyan, V. P. Chalyi, “Powerful highly stable laser diodes for pumping of solid-state lasers”, Quantum Electron., 28:9 (1998), 768–770  ] |
3
|
|
1984 |
| 3. |
Д. З. Гарбузов, В. В. Агаев, З. Н. Соколова, В. Б. Халфин, В. П. Чалый, “Рекомбинационные процессы в InGaAsP/InP ДГС
с ${\lambda= 1\div1.5}$ мкм”, Физика и техника полупроводников, 18:6 (1984), 1069–1076 |
| 4. |
Д. З. Гарбузов, А. В. Чудинов, В. В. Агаев, В. П. Чалый, В. П. Евтихиев, “Люминесцентные и пороговые характеристики InGaAsP/InP ДГС (${0.94<\lambda<1.51}$ мкм) при оптическом возбуждении”, Физика и техника полупроводников, 18:1 (1984), 102–108 |
|
Обратная связь: