Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 13, страницы 1636–1640
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.13.46879.8864 (Mi phts5641) 		 
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

NBn-фотодиод на основе InAsSb/AlAsSb-твердых растворов с длинноволновой границей 5 мкм

В. Б. Куликовa, Д. В. Масловa, А. Р. Сабировa, А. А. Солодковa, А. Л. Дудинb, Н. И. Кацавецb, И. В. Коганb, И. В. Шуковb, В. П. Чалыйb

a АО "ЦНИИ "Циклон", г. Москва
b ЗАО "Светлана-Рост", г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (153 kB) Список цитирования (4)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.13.46879.8864
Аннотация: Представлены результаты исследований фотоэлектрических характеристик nBn-структуры, обеспечивающей возможность создавать на ее основе фотодиоды с длинноволновой границей чувствительности, достигающей 5 мкм. Расчеты, сделанные на основе полученных результатов, показывают, что указанные фотодиоды сравнимы по пороговой фоточувствительности с традиционными аналогами. На основе полученных экспериментальных результатов и теоретических оценок предложена модель зонной диаграммы nBn-структуры, позволяющая оценить влияние потенциальных барьеров в валентной зоне широкозонного слоя и на его границах с узкозонными слоями на чувствительность nBn-фотодиодов. При построении модели важное значение имели результаты, полученные при экспериментальном исследовании зависимости термической энергии активации фототока от напряжения смещения фотодиода.
Поступила в редакцию: 19.04.2018
Принята в печать: 15.05.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 13, Pages 1743–1747
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618130110
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. Б. Куликов, Д. В. Маслов, А. Р. Сабиров, А. А. Солодков, А. Л. Дудин, Н. И. Кацавец, И. В. Коган, И. В. Шуков, В. П. Чалый, “NBn-фотодиод на основе InAsSb/AlAsSb-твердых растворов с длинноволновой границей 5 мкм”, Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018), 1636–1640; Semiconductors, 52:13 (2018), 1743–1747
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KulMasSab18}
\by В.~Б.~Куликов, Д.~В.~Маслов, А.~Р.~Сабиров, А.~А.~Солодков, А.~Л.~Дудин, Н.~И.~Кацавец, И.~В.~Коган, И.~В.~Шуков, В.~П.~Чалый
\paper NBn-фотодиод на основе InAsSb/AlAsSb-твердых растворов с длинноволновой границей 5 мкм
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 13
\pages 1636--1640
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5641}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.13.46879.8864}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=36903666}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 13
\pages 1743--1747
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618130110}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5641
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i13/p1636
    • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:41
    PDF полного текста:13
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024