|
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)
Физика полупроводниковых приборов
NBn-фотодиод на основе InAsSb/AlAsSb-твердых растворов с длинноволновой границей 5 мкм
В. Б. Куликовa, Д. В. Масловa, А. Р. Сабировa, А. А. Солодковa, А. Л. Дудинb, Н. И. Кацавецb, И. В. Коганb, И. В. Шуковb, В. П. Чалыйb a АО "ЦНИИ "Циклон", г. Москва
b ЗАО "Светлана-Рост", г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Представлены результаты исследований фотоэлектрических характеристик nBn-структуры, обеспечивающей возможность создавать на ее основе фотодиоды с длинноволновой границей чувствительности, достигающей 5 мкм. Расчеты, сделанные на основе полученных результатов, показывают, что указанные фотодиоды сравнимы по пороговой фоточувствительности с традиционными аналогами. На основе полученных экспериментальных результатов и теоретических оценок предложена модель зонной диаграммы nBn-структуры, позволяющая оценить влияние потенциальных барьеров в валентной зоне широкозонного слоя и на его границах с узкозонными слоями на чувствительность nBn-фотодиодов. При построении модели важное значение имели результаты, полученные при экспериментальном исследовании зависимости термической энергии активации фототока от напряжения смещения фотодиода.
Поступила в редакцию: 19.04.2018 Принята в печать: 15.05.2018
Образец цитирования:
В. Б. Куликов, Д. В. Маслов, А. Р. Сабиров, А. А. Солодков, А. Л. Дудин, Н. И. Кацавец, И. В. Коган, И. В. Шуков, В. П. Чалый, “NBn-фотодиод на основе InAsSb/AlAsSb-твердых растворов с длинноволновой границей 5 мкм”, Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018), 1636–1640; Semiconductors, 52:13 (2018), 1743–1747
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5641 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i13/p1636
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 42 | PDF полного текста: | 15 |
|