Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Кацавец Николай Иванович

В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 15
Научных статей: 15

Статистика просмотров:
Эта страница:84
Страницы публикаций:653
Полные тексты:323

https://www.mathnet.ru/rus/person93317
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2018
1. В. Б. Куликов, Д. В. Маслов, А. Р. Сабиров, А. А. Солодков, А. Л. Дудин, Н. И. Кацавец, И. В. Коган, И. В. Шуков, В. П. Чалый, “NBn-фотодиод на основе InAsSb/AlAsSb-твердых растворов с длинноволновой границей 5 мкм”, Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018),  1636–1640  mathnet  elib; V. B. Kulikov, D. V. Maslov, A. R. Sabirov, A. A. Solodkov, A. L. Dudin, N. I. Katsavets, I. V. Kogan, I. V. Shukov, V. P. Chalyi, “NBn-photodiode based on InAsSb/AlAsSb alloys with a long-wavelength cutoff of 5 $\mu$m”, Semiconductors, 52:13 (2018), 1743–1747 4
1998
2. Д. М. Демидов, Н. И. Кацавец, А. Л. Тер-Мартиросян, В. П. Чалый, “Мощные высокостабильные лазерные диоды для накачки твердотельных лазеров”, Квантовая электроника, 25:9 (1998),  789–791  mathnet [D. M. Demidov, N. I. Katsavets, A. L. Ter-Martirosyan, V. P. Chalyi, “Powerful highly stable laser diodes for pumping of solid-state lasers”, Quantum Electron., 28:9 (1998), 768–770  isi] 3
1990
3. А. В. Быкадоров, Н. И. Кацавец, Е. И. Леонов, “О механизме нестационарного электрооптического отклика в кристаллах Bi$_{12}$SiO$_{20}$”, ЖТФ, 60:3 (1990),  153–161  mathnet  isi
1988
4. А. В. Быкадоров, Н. И. Кацавец, Е. И. Леонов, “Нестационарный электрооптический отклик в монокристаллах Bi$_{12}$SiO$_{20}$”, ЖТФ, 58:11 (1988),  2250–2252  mathnet  isi
5. Н. И. Кацавец, И. Е. Кудрик, Е. И. Леонов, “Оптическая перезарядка глубоких примесных состояний в запрещенной зоне монокристаллов со структурой силленита”, ЖТФ, 58:3 (1988),  577–582  mathnet  isi
1986
6. Н. И. Кацавец, Е. И. Леонов, “Нестационарные электрооптические явления в монокристаллах Bi$_{12}$SiO$_{2}$, легированных Al и Mn”, ЖТФ, 56:10 (1986),  1993–1995  mathnet  isi
1985
7. Н. И. Кацавец, Е. И. Леонов, И. Е. Кудрин, “Инжекционные свойства контакта электролит–германат висмута”, ЖТФ, 55:12 (1985),  2372–2376  mathnet  isi
8. А. В. Быкадоров, Н. И. Кацавец, Е. И. Леонов, “Линейный режим записи оптической информации в пространственно-временных модуляторах света на основе силленитов”, Письма в ЖТФ, 11:19 (1985),  1193–1196  mathnet  isi
9. А. Д. Бондарев, Н. И. Кацавец, И. Е. Кудрик, Е. И. Леонов, С. Э. Хабаров, “Получение и исследование оптических и фотоэлектрических свойств гетероэпитаксиальных пленок титаната и галлата висмута”, Письма в ЖТФ, 11:12 (1985),  713–717  mathnet  isi
1984
10. Н. И. Кацавец, Е. И. Леонов, Е. Б. Шадрин, А. Г. Щербаков, “Особенности процесса фотодеполяризации в структуре металл–германат висмута–металл”, ЖТФ, 54:12 (1984),  2330–2335  mathnet  isi
11. Н. И. Кацавец, “Влияние ультрафиолетовой подсветки на вольт-амперные характеристики структуры металл–силикат(германат) висмута–металл”, ЖТФ, 54:9 (1984),  1812–1814  mathnet  isi
12. Н. И. Кацавец, Е. И. Леонов, Е. Б. Шадрин, А. Г. Щербаков, “Особенности кинетики нарастания фототока в структуре металл–германат висмута–металл”, ЖТФ, 54:3 (1984),  589–594  mathnet  isi
13. Н. И. Кацавец, Е. И. Леонов, И. Муминов, В. М. Орлов, “Фотопроводимость легированных монокристаллов Bi$_{12}$TiO$_{20}$ и твердых растворов Bi$_{12}$Si$_{x}$Ti$_{1-x}$O$_{20}$”, Письма в ЖТФ, 10:15 (1984),  932–936  mathnet  isi
1983
14. О. В. Константинов, О. А. Мезрин, Н. И. Кацавец, Е. И. Леонов, “О механизме релаксации электрического поля в МДП структуре на основе фотопроводящего германата висмута”, Физика твердого тела, 25:12 (1983),  3648–3654  mathnet  isi
15. Н. И. Кацавец, Е. И. Леонов, В. М. Орлов, Е. Б. Шадрин, “Голографическая запись в легированных кристаллах силиката и германата висмута”, Письма в ЖТФ, 9:7 (1983),  424–428  mathnet

Организации
  • ЗАО "Полупроводниковые приборы", г. С.-Петербург
 
  Обратная связь:
 Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024