|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1992 |
| 1. |
И. М. Цидулко, “Полупроводниковый лазер с солнечной накачкой”, Квантовая электроника, 19:5 (1992), 505–508  [I. M. Tsidulko, “Semiconductor laser pumped by solar radiation”, Sov J Quantum Electron, 22:5 (1992), 463–466  ] |
5
|
|
1980 |
| 2. |
И. М. Цидулко, “Влияние толщины активной области на температурную зависимость порогового тока в гомолазерах”, Квантовая электроника, 7:7 (1980), 1461–1465 [I. M. Tsidulko, “Effect of the thickness of the active region on the temperature dependence of the threshold current in homojunction lasers”, Sov J Quantum Electron, 10:7 (1980), 841–844 ] |
|
1979 |
| 3. |
Р. Алтынбаев, И. Исмаилов, Г. Ли, И. М. Цидулко, Н. Шохуджаев, “Исследование гетеролазеров и светодиодов на основе InP/lnGaPAs, излучающих в диапазоне 1,0–1,2 мкм”, Квантовая электроника, 6:11 (1979), 2436–2439 [R. Altynbaev, I. Ismailov, G. Li, I. Tsidulko, N. Shokhudzhaev, “Investigation of InP-lnGaPAs heterojunction lasers and light-emitting diodes operating in the 1.0–1.2 μ range”, Sov J Quantum Electron, 9:11 (1979), 1435–1437] |
| 4. |
И. Исмаилов, И. М. Цидулко, “О влиянии высоты потенциального барьера в гетеролазере на температурную зависимость порогового
тока”, Квантовая электроника, 6:9 (1979), 1977–1983 [I. Ismailov, I. M. Tsidulko, “Influence of the potential barrier height in a heterojunction laser on the temperature dependence of the threshold current”, Sov J Quantum Electron, 9:9 (1979), 1163–1166] |
1
|
|
Обратная связь: