Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1979, том 6, номер 9, страницы 1977–1983 (Mi qe9470)  

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

О влиянии высоты потенциального барьера в гетеролазере на температурную зависимость порогового тока

И. Исмаилов, И. М. Цидулко

Физико-технический институт им. С. У. Умарова, Душанбе
Аннотация: Теоретически рассмотрена диффузия электронов в активной области гетеролазера в условиях утечки носителей через гетеробарьер высотой Δ, их излучательной рекомбинации в активной области и поверхностной рекомбинации на гетерогранице. По известной температурной зависимости порогового тока гетеролазера, в котором отсутствуют утечка и поверхностная рекомбинация на гетерогранице, получено выражение для температурной зависимости порога jпор(T) при наличии этих факторов. Проведено сравнение теории с экспериментом для ДГС лазеров на основе InGaPAs/InP и AlxGa1-xAs/AlyGa1–yAs. На основе удовлетворительного совпадения теоретических и экспериментальных кривых сделаны следующие выводы: а) разница в ширине запрещенной зоны материалов, образующих гетеропереход ΔEg, совпадающая по величине с Δ, целиком приходится на зону проводимости; б) экспериментальная зависимость jпор(T) накладывает дополнительную связь на такие параметры материалов, образующих гетеропереход, как время жизни электронов в активной и пассивной областях, их диффузионная длина, толщина активного слоя. Получена оценка времени жизни электронов в активной области гетеролазера на основе InGaPAs/InP с Δ = 160 мэВ порядка 6 нс.
Поступила в редакцию: 24.01.1979
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1979, Volume 9, Issue 9, Pages 1163–1166
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1979v009n09ABEH009470
Тип публикации: Статья
УДК: 621.315.595
PACS: 42.55.Rz


Образец цитирования: И. Исмаилов, И. М. Цидулко, “О влиянии высоты потенциального барьера в гетеролазере на температурную зависимость порогового тока”, Квантовая электроника, 6:9 (1979), 1977–1983 [Sov J Quantum Electron, 9:9 (1979), 1163–1166]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe9470
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v6/i9/p1977
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:170
    PDF полного текста:74
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024