|
Квантовая электроника, 1979, том 6, номер 9, страницы 1977–1983
(Mi qe9470)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
О влиянии высоты потенциального барьера в гетеролазере на температурную зависимость порогового
тока
И. Исмаилов, И. М. Цидулко Физико-технический институт им. С. У. Умарова, Душанбе
Аннотация:
Теоретически рассмотрена диффузия электронов в активной области гетеролазера в условиях утечки носителей через гетеробарьер высотой Δ, их излучательной рекомбинации в активной области и поверхностной рекомбинации на гетерогранице. По известной температурной зависимости порогового тока гетеролазера, в котором отсутствуют утечка и поверхностная рекомбинация на гетерогранице, получено выражение для температурной зависимости порога jпор(T) при наличии этих факторов. Проведено сравнение теории с экспериментом для ДГС лазеров на основе InGaPAs/InP и AlxGa1-xAs/AlyGa1–yAs. На основе удовлетворительного совпадения теоретических и экспериментальных кривых сделаны следующие выводы: а) разница в ширине запрещенной зоны материалов, образующих гетеропереход ΔEg, совпадающая по величине с Δ, целиком приходится на зону проводимости; б) экспериментальная зависимость jпор(T) накладывает дополнительную связь на такие параметры материалов, образующих гетеропереход, как время жизни электронов в активной и пассивной областях, их диффузионная длина, толщина активного слоя. Получена оценка времени жизни электронов в активной области гетеролазера на основе InGaPAs/InP с Δ = 160 мэВ порядка 6 нс.
Поступила в редакцию: 24.01.1979
Образец цитирования:
И. Исмаилов, И. М. Цидулко, “О влиянии высоты потенциального барьера в гетеролазере на температурную зависимость порогового
тока”, Квантовая электроника, 6:9 (1979), 1977–1983 [Sov J Quantum Electron, 9:9 (1979), 1163–1166]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe9470 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v6/i9/p1977
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 174 | PDF полного текста: | 77 |
|