|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1988 |
| 1. |
У. А. Бекирев, С. А. Бондарь, Д. В. Галченков, Р. А. Сурис, М. А. Гранкин, Г. В. Ершова, В. Н. Инкин, М. А. Малышкин, “Решетка лазеров на основе многопроходной $p{-}n$-гетероструктуры”, Письма в ЖТФ, 14:23 (1988), 2140–2144   |
|
1987 |
| 2. |
Д. В. Галченков, И. М. Гродненский, И. И. Засавицкий, К. В. Старостин, В. Г. Мокеров, “Определение высоты потенциального барьера в гетеропереходах
с двумерным электронным газом”, Физика и техника полупроводников, 21:8 (1987), 1522–1524 |
| 3. |
Д. В. Галченков, А. А. Губарев, Б. М. Лаврушин, А. С. Насибов, П. В. Резников, О. В. Чернышева, “Лазерная ЭЛТ мощностью 5 Вт с дифференциальной эффективностью 14% при 300 K”, Письма в ЖТФ, 13:11 (1987), 689–693 |
|
1985 |
| 4. |
В. А. Волков, Д. В. Галченков, И. М. Гродненский, М. И. Елинсон, О. Р. Матов, К. В. Старостин, О. В. Чернышева, “Двумерный электронный газ с высокой подвижностью в специально
нелегированных гетероструктурах GaAs$-$Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As, выращенных
методом жидкофазной эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 19:2 (1985), 333–336 |
|
1984 |
| 5. |
О. В. Богданкевич, Н. А. Борисов, Д. В. Галченков, И. И. Усвят, О. В. Чернышева, “Влияние глубоких примесных уровней на пороговые характеристики лазеров на основе
$n$-Ga$_{1-x}$Al$_x$As с накачкой электронным пучком”, Квантовая электроника, 11:4 (1984), 833–835 [O. V. Bogdankevich, N. A. Borisov, D. V. Galchenkov, I. I. Usvyat, O. V. Chernysheva, “Influence of deep impurity levels on the threshold characteristics of
electronbeam-pumped lasers made of $n-Ga_{1-x}Al_xAs$”, Sov J Quantum Electron, 14:4 (1984), 563–565 ] |
|
1983 |
| 6. |
М. А. Малышкин, Д. В. Галченков, М. А. Гранкин, С. А. Бондарь, В. Н. Вигдорович, “Изменение концентации носителей при перестройке зонной структуры
в твердых растворах Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As, легированных теллуром и оловом”, Физика и техника полупроводников, 17:10 (1983), 1748–1751 |
| 7. |
В. А. Волков, Д. В. Галченков, И. М. Гродненский, М. И. Елинсон, К. В. Старостин, “Двумерный электронный газ и анизотропия явлений переноса
в гетероструктуре GaAs$-$Al$_{s}$Ga$_{1-x}$As”, Физика и техника полупроводников, 17:2 (1983), 288–293 |
|
1981 |
| 8. |
О. В. Богданкевич, С. А. Бондарь, Н. А. Борисов, Д. В. Галченков, В. Ф. Певцов, С. С. Стрельченко, “Управление излучением инжекционных источников света с помощью электронного пучка”, Квантовая электроника, 8:5 (1981), 1126–1128 [O. V. Bogdankevich, S. A. Bondar', N. A. Borisov, D. V. Galchenkov, V. F. Pevtsov, S. S. Strel'chenko, “Electron-beam control of the radiation emitted by injection light sources”, Sov J Quantum Electron, 11:5 (1981), 674–675 ] |
| 9. |
О. В. Богданкевич, С. А. Бондарь, Н. А. Борисов, Д. В. Галченков, Е. В. Невструева, В. Ф. Певцов, Ю. В. Петрушенко, С. С. Стрельченко, В. Н. Цвентух, “Влияние легирования Ga<sub>0,68</sub>Al<sub>0,32</sub>As на катодолюминесценцию и пороговую плотность тока лазера с накачкой электронным пучком”, Квантовая электроника, 8:1 (1981), 201–204 [O. V. Bogdankevich, S. A. Bondar', N. A. Borisov, D. V. Galchenkov, E. V. Nevstrueva, V. F. Pevtsov, Yu. V. Petrushenko, S. S. Strel'chenko, V. N. Tsventukh, “Influence of doping of Ga<sub>0.68</sub>Al<sub>0.32</sub>As on its cathodoluminescence and threshold current density of a laser pumped by an electron beam”, Sov J Quantum Electron, 11:1 (1981), 119–121 ] |
|
1980 |
| 10. |
О. В. Богданкевич, С. А. Бондарь, Н. А. Борисов, Д. В. Галченков, А. Д. Коновалов, В. Ф. Певцов, Ю. Е. Петрушенко, С. С. Стрельченко, В. Н. Уласюк, “Полупроводниковый лазер с поперечной накачкой электронным пучком на основе многослойных гетероструктур в системе $GaAs-AlAs$”, Квантовая электроника, 7:6 (1980), 1209–1212 [O. V. Bogdankevich, S. A. Bondar', N. A. Borisov, D. V. Galchenkov, A. D. Konovalov, V. F. Pevtsov, Yu. E. Petrushenko, S. S. Strel'chenko, V. N. Ulasyuk, “Multilayer $GaAs-AlAs$ heterostructure laser pumped transversely by an electron beam”, Sov J Quantum Electron, 10:6 (1980), 693–695 ] |
|
1976 |
| 11. |
С. А. Бондарь, Н. А. Борисов, Д. В. Галченков, Б. М. Лаврушин, В. В. Лебедев, С. С. Стрельченко, “Полупроводниковый лазер с накачкой электронным пучком на основе многослойных гетероструктур
Ga<sub>1–x</sub>ln<sub>x</sub>As<sub>1–y</sub>Sb<sub>y</sub>”, Квантовая электроника, 3:1 (1976), 94–100 [S. A. Bondar', N. A. Borisov, D. V. Galchenkov, B. M. Lavrushin, V. V. Lebedev, S. S. Strel'chenko, “Electron-beam-pumped semiconductor laser utilizing multilayer Ga<sub>1–x</sub>ln<sub>x</sub>As<sub>1–y</sub>Sb<sub>y</sub> heterostructures”, Sov J Quantum Electron, 6:1 (1976), 50–53] |
3
|
|
Обратная связь: