|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1991 |
| 1. |
К. Б. Дедушенко, О. В. Катугин, А. З. Мереуцэ, А. В. Сырбу, В. П. Яковлев, “Динамически одночастотные (AlGa)As
квантоворазмерные лазеры с низким порогом генерации”, Письма в ЖТФ, 17:24 (1991), 99–102   |
| 2. |
С. Ф. Виеру, В. А. Горбылев, А. Т. Лупу, А. З. Мереуцэ, А. И. Петров, Г. И. Суручану, А. В. Сырбу, А. А. Чельный, В. П. Яковлев, “Зарощенные AlGaAs квантоворазмерные лазерные диоды, полученные
комбинированием методов мосгидридной и жидкофазной эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 17:22 (1991), 100–103 |
1
|
| 3. |
В. Ф. Казаку, А. Т. Лупу, Г. И. Суручану, А. В. Сырбу, В. П. Яковлев, “Бистабильный оптический усилитель на основе InGaAsP/InP
гетероструктур”, Письма в ЖТФ, 17:11 (1991), 30–32 |
| 4. |
А. З. Мереуцэ, А. В. Сырбу, Г. И. Суручану, В. П. Яковлев, “AlGaAs квантоворазмерные лазерные диоды с градиентным волноводом,
полученные низкотемпературной жидкофазной эпитаксией”, Письма в ЖТФ, 17:4 (1991), 58–62 |
| 5. |
А. Т. Лупу, А. З. Мереуцэ, И. Б. Пузин, А. В. Сырбу, Г. И. Суручану, М. К. Шейнкман, Г. К. Шерварлы, В. П. Яковлев, “Электрофизические характеристики низкопорогового ($I_{n}=1.3$ мА,
$T=300$ K) квантоворазмерного AlGaAs, лазерного диода с зарощенной
гетероструктурой, полученные НЖФЭ”, Письма в ЖТФ, 17:3 (1991), 4–8 |
|
1990 |
| 6. |
В. М. Андреев, В. Ю. Аксенов, А. А. Бородкин, А. Б. Казанцев, А. З. Мереуцэ, В. Н. Пенкин, А. В. Смирнов, А. В. Сырбу, В. П. Яковлев, “AlGaAs одночастотные квантоворазмерные лазерные диоды с пороговым
током генерации 1мА, полученные ЖФЭ”, Письма в ЖТФ, 16:19 (1990), 32–35 |
| 7. |
И. И. Гуранда, А. З. Мереуцэ, И. Б. Пузин, А. В. Сырбу, Г. И. Суручану, M. K. Шейнкман, Т. К. Шерварлы, В. П. Яковлев, “Излучательные и электрические характеристики одномодовых
квантоворазмерных AlGaAs лазеров, полученных методом НЖЭ”, Письма в ЖТФ, 16:15 (1990), 60–64 |
| 8. |
С. Б. Нечкин, И. Б. Пузин, М. К. Шейнкман, Т. К. Шерварлы, В. П. Блаже, А. З. Мереуцэ, А. В. Сырбу, В. П. Яковлев, “Емкостные характеристики зарощенных квантоворазмерных AlGaAs лазеров,
полученных методом НЖЭ”, Письма в ЖТФ, 16:15 (1990), 56–59 |
| 9. |
А. З. Мереуцэ, А. В. Сырбу, В. П. Яковлев, “Оптический усилитель прямого действия на основе InGaAs гетероструктур”, Письма в ЖТФ, 16:10 (1990), 83–86 |
| 10. |
Ж. И. Алфров, В. М. Андреев, А. З. Мереуцэ, А. В. Сырбу, Г. И. Суручану, В. П. Яковлев, “Сверхнизкопороговые ($I_{n}=1.3$ мА, $T=300$ K) квантоворазмерные
AlGaAs лазеры без отражающих покрытий зеркал, полученные ЖФЭ”, Письма в ЖТФ, 16:9 (1990), 41–44 |
| 11. |
Ж. И. Алфров, В. М. Андреев, A. M. Андриеш, А. З. Мереуцэ, А. В. Сырбу, В. П. Яковлев, “Низкопороговые (${I_{\text{п}}=3.0}$ мА, ${T=300}$ K)
квантоворазмерные AlGaAs лазерные диоды с зарощенной гетероструктурой,
полученные ЖФЭ”, Письма в ЖТФ, 16:5 (1990), 66–71 |
|
1989 |
| 12. |
Л. А. Луполова, А. В. Сырбу, В. П. Яковлев, “Влияние переохлаждения раствора-расплава на параметры слоев
InGaAsP (${\lambda_{g}=1.3}$ мкм)”, ЖТФ, 59:5 (1989), 127–130 |
| 13. |
А. З. Мереуцэ, А. И. Петров, В. М. Полторацкий, В. А. Прокудина, А. В. Сырбу, В. П. Тарченко, В. П. Яковлев, “Особенности жидкофазного роста Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As ($x=0.2{-}0.3$)
при низкой температуре”, Письма в ЖТФ, 15:9 (1989), 50–54 |
|
1987 |
| 14. |
Н. П. Бежан, В. И. Брынзарь, Д. В. Гицу, М. Б. Иванов, В. В. Попушой, А. В. Сырбу, “Селективный прием оптической информации лазерным диодом”, ЖТФ, 57:3 (1987), 586–588 |
| 15. |
Н. П. Бежан, В. И. Брынзарь, Д. В. Гицу, М. Б. Иванов, В. В. Попушой, А. В. Сырбу, “Прямая регистрация формы линии усиления в инжекционных лазерах”, ЖТФ, 57:1 (1987), 168–170 |
|
1986 |
| 16. |
Н. П. Бежан, В. И. Брынзарь, Д. В. Гицу, М. Б. Иванов, В. В. Попушой, А. В. Сырбу, “Перестраиваемый сверхселективный приемник излучения на основе $Al\,Ga\,As$ лазера”, Письма в ЖТФ, 12:13 (1986), 783–787 |
| 17. |
Н. П. Бежан, Д. В. Гицу, М. Б. Иванов, И. П. Молодян, В. В. Попушой, А. В. Сырбу, “Изучение фоточувствительных свойств инжекционного лазера методом эффективного коэффициента усиления”, Квантовая электроника, 13:9 (1986), 1785–1793 [N. P. Bezhan, D. V. Gitsu, M. B. Ivanov, I. P. Molodyan, V. V. Popushoǐ, A. V. Syrbu, “Investigation of photosensitive properties of an injection laser by the effective gain method”, Sov J Quantum Electron, 16:9 (1986), 1174–1179 ] |
|
1984 |
| 18. |
М. Б. Иванов, В. В. Попушой, Б. Х. Слепой, А. В. Сырбу, “Поглощение света в волноводах с варизонным слоем из твердого раствора в системе (GaAl)As”, Физика и техника полупроводников, 18:3 (1984), 479–483 |
|
Обратная связь: