|
Письма в Журнал технической физики, 1991, том 17, выпуск 22, страницы 100–103
(Mi pjtf4079)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Зарощенные AlGaAs квантоворазмерные лазерные диоды, полученные
комбинированием методов мосгидридной и жидкофазной эпитаксии
С. Ф. Виеру, В. А. Горбылев, А. Т. Лупу, А. З. Мереуцэ, А. И. Петров, Г. И. Суручану, А. В. Сырбу, А. А. Чельный, В. П. Яковлев
Образец цитирования:
С. Ф. Виеру, В. А. Горбылев, А. Т. Лупу, А. З. Мереуцэ, А. И. Петров, Г. И. Суручану, А. В. Сырбу, А. А. Чельный, В. П. Яковлев, “Зарощенные AlGaAs квантоворазмерные лазерные диоды, полученные
комбинированием методов мосгидридной и жидкофазной эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 17:22 (1991), 100–103
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf4079 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v17/i22/p100
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 31 | PDF полного текста: | 16 |
|