|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1991 |
| 1. |
А. Ю. Бланк, Е. Н. Зиновьев, Л. П. Иванов, Д. И. Ковалев, И. Д. Ярошецкий, “Экситонная рекомбинация в GaAs, индуцируемая неравновесными
акустическими фононами”, Физика и техника полупроводников, 25:1 (1991), 67–72  |
|
1990 |
| 2. |
Л. В. Беляков, Д. Н. Горячев, Б. Д. Румянцев, О. М. Сресели, И. Д. Ярошецкий, “Узкополосные селективные фотоприемники на основе
структур Шоттки”, Письма в ЖТФ, 16:6 (1990), 72–75  |
|
1989 |
| 3. |
Е. В. Берегулин, С. Д. Ганичев, К. Ю. Глух, Ю. Б. Лянда-Геллер, И. Д. Ярошецкий, “Линейный фотогальванический эффект в $p$-GaAs в классической области частот”, Физика твердого тела, 31:1 (1989), 115–117 |
| 4. |
С. Д. Ганичев, С. А. Емельянов, Я. В. Терентьев, И. Д. Ярошецкий, “Об области применения малоинерционных охлаждаемых до
${T=77}$ K детекторов субмиллиметрового излучения на основе $n$-InSb”, ЖТФ, 59:5 (1989), 111–113 |
| 5. |
Л. В. Беляков, Д. Н. Горячев, Т. Л. Макарова, Б. Л. Румянцев, О. М. Сресели, И. Д. Ярошецкий, “Влияние тонкого диэлектрического слоя на свойства ПЭВ на границе
металл$-$полупроводник”, Физика и техника полупроводников, 23:11 (1989), 1966–1970 |
| 6. |
С. В. Иванов, П. С. Копьев, В. Ю. Некрасов, А. Г. Пахомов, В. Н. Трухин, И. Д. Ярошецкий, “Энергетическая релаксация и транспорт электронов и дырок
в короткопериодичных полупроводниковых сверхрешетках”, Физика и техника полупроводников, 23:9 (1989), 1564–1567 |
| 7. |
В. Ю. Некрасов, В. Н. Трухин, И. Д. Ярошецкий, “Особенности рассеяния коротких световых импульсов на
светоиндуцированных решетках в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 23:8 (1989), 1512–1514 |
| 8. |
Е. В. Берегулин, И. Д. Ярошецкий, “Исследование релаксации энергии и захвата носителей заряда
при фотоионизации примесных центров в $p$-GaAs”, Физика и техника полупроводников, 23:6 (1989), 947–953 |
| 9. |
Л. В. Беляков, Д. Н. Горячев, Б. Л. Румянцев, О. М. Сресели, И. Д. Ярошецкий, “Резонансные явления в структурах Шоттки при возбуждении
«медленных» поверхностных электромагнитных волн”, Физика и техника полупроводников, 23:3 (1989), 461–465 |
| 10. |
С. Д. Ганичев, К. Ю. Глух, И. Н. Котельников, Н. А. Мордовец, А. Я. Шульман, И. Д. Ярошецкий, “Точечный быстродействующий фотоприемник лазерного субмиллиметрового
излучения”, Письма в ЖТФ, 15:8 (1989), 8–10 |
|
1988 |
| 11. |
Н. Н. Зиновьев, Д. И. Ковалев, И. Д. Ярошецкий, “Генерация акустических фононов при индуцированной рекомбинации связанных экситонов в CdS”, Физика твердого тела, 30:3 (1988), 751–755 |
| 12. |
Е. В. Берегулин, С. Д. Ганичев, К. Ю. Глух, Ю. Б. Лянда-Геллер, И. Д. Ярошецкий, “Линейный фотогальванический эффект в полупроводниках в субмиллиметровой области спектра”, Физика твердого тела, 30:3 (1988), 730–736 |
| 13. |
А. П. Дмитриев, С. А. Емельянов, Я. В. Терентьев, И. Д. Ярошецкий, “О возможности реализации инверсной населенности спиновых подуровней
Ландау в $n$-InSb при интенсивном субмиллиметровом возбуждении”, Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988), 1045–1048 |
| 14. |
Л. В. Беляков, Н. Н. Горобей, Д. Н. Горячев, О. М. Сресели, И. Д. Ярошецкий, “Влияние распределения поля поверхностного поляритона в системе
диэлектрик–металл–полупроводник на фотоответ полупроводника”, Физика и техника полупроводников, 22:5 (1988), 906–910 |
| 15. |
А. В. Андрианов, Е. В. Берегулин, С. Д. Ганичев, К. Ю. Глух, И. Д. Ярошецкий, “Быстродействующий измеритель поляризационных характеристик
импульсного лазерного ИК и субмиллиметрового излучения”, Письма в ЖТФ, 14:14 (1988), 1326–1329 |
| 16. |
Л. В. Беляков, Д. Н. Горячев, Б. Л. Румянцев, О. М. Сресели, И. Д. Ярошецкий, “Резонансная электролюминесценция структуры металл$-$полупроводник
с гофрированной поверхностью”, Письма в ЖТФ, 14:8 (1988), 757–760 |
|
1987 |
| 17. |
С. Д. Ганичев, С. А. Емельянов, И. Д. Ярошецкий, “Внутризонная фотопроводимость, обусловленная легкими дырками
и разогревом носителей в $p$-Ge при субмиллиметровом лазерном возбуждении”, Физика и техника полупроводников, 21:6 (1987), 1011–1015 |
| 18. |
Е. В. Берегулин, С. Д. Ганичев, К. Ю. Глух, И. Д. Ярошецкий, “Нелинейное поглощение субмиллиметрового излучения в германии,
обусловленное разогревом носителей заряда светом”, Физика и техника полупроводников, 21:6 (1987), 1005–1010 |
| 19. |
Л. В. Беляков, Д. Н. Горячев, В. И. Емельянов, В. Н. Семиногов, О. М. Сресели, И. Д. Ярошецкий, “Резонансное подавление зеркального отражения при возбуждении поверхностных электромагнитных волн на неметаллических периодических структурах”, Письма в ЖТФ, 13:11 (1987), 693–697 |
| 20. |
Л. В. Беляков, Д. Н. Горячев, О. М. Сресели, И. Д. Ярошецкий, “Фотоответ структуры металл–полупроводник при возбуждении поверхностных поляритонов светом TE-поляризации”, Письма в ЖТФ, 13:5 (1987), 261–265 |
|
1986 |
| 21. |
Н. Н. Зиновьев, Д. И. Ковалев, И. Д. Ярошецкий, “Электрон-фононное взаимодействие в спектрах люминесценции связанного экситона в CdS”, Физика твердого тела, 28:12 (1986), 3595–3602 |
| 22. |
Е. В. Берегулин, С. Д. Ганичев, И. Д. Ярошецкий, “Нелинейное поглощение света в $p$-Ge в ИК области спектра”, Физика и техника полупроводников, 20:7 (1986), 1180–1183 |
| 23. |
Л. В. Беляков, Д. Н. Горячев, О. М. Сресели, И. Д. Ярошецкий, “Влияние оптических констант полупроводника на положение поляритонного пика фотоответа диодов Шоттки”, Письма в ЖТФ, 12:18 (1986), 1145–1149 |
| 24. |
В. Ю. Некрасов, А. А. Поляков, В. Н. Трухин, И. Д. Ярошецкий, “Сдвиг частоты и изменение спектра пикосекундных световых импульсов при их рассеянии на светоиндуцированных решетках в полупроводниках”, Квантовая электроника, 13:4 (1986), 847–849 [V. Yu. Nekrasov, A. A. Polyakov, V. N. Trukhin, I. D. Yaroshetskiǐ, “Frequency shift and change in the spectrum of picosecond light pulses scattered by optically induced gratings in semiconductors”, Sov J Quantum Electron, 16:4 (1986), 552–553 ] |
|
1985 |
| 25. |
Н. Н. Зиновьев, Л. П. Иванов, Д. И. Ковалев, И. Д. Ярошецкий, “Ударная ионизация экситонов и мелких примесей в арсениде галлия
в скрещенных электрическом и магнитном полях”, Физика и техника полупроводников, 19:12 (1985), 2173–2176 |
| 26. |
Б. Л. Баскин, А. А. Поляков, В. Н. Трухин, И. Д. Ярошецкий, “Воздействие импульсного лазерного излучения пикосекундной длительности на поверхность германия”, Письма в ЖТФ, 11:20 (1985), 1251–1257 |
| 27. |
Л. В. Беляков, Д. Н. Горячев, О. М. Сресели, И. Д. Ярошецкий, “Фотоответ структуры полупроводник – металл, связанный с возбуждением поверхностных поляритонов”, Письма в ЖТФ, 11:19 (1985), 1162–1165 |
| 28. |
С. Д. Ганичев, С. А. Емельянов, А. Г. Пахомов, Я. В. Терентьев, И. Д. Ярошецкий, “Малоинерционный неохлаждаемый приемник лазерного излучения дальнего ИК- и субмиллиметрового диапазона”, Письма в ЖТФ, 11:15 (1985), 913–915 |
| 29. |
Т. В. Бурова, А. Н. Лодыгин, Л. Г. Парицкий, В. В. Першин, Б. Д. Смолкин, В. П. Симонов, В. М. Тучкевич, И. Д. Ярошецкий, “Электронно-оптическая регистрация свечения газового разряда в полупроводниковых фотографических системах и преобразователях изображения ионизационного типа”, Письма в ЖТФ, 11:4 (1985), 215–217 |
| 30. |
С. Д. Ганичев, Я. В. Терентьев, И. Д. Ярошецкий, “Фотоприемники на основе эффекта увлечения носителей тока фотонами для дальней ИК и субмиллиметровой области спектра”, Письма в ЖТФ, 11:1 (1985), 46–48 |
1
|
| 31. |
А. В. Васильев, В. Ю. Некрасов, А. А. Поляков, В. Н. Трухин, И. Д. Ярошецкий, “Сдвиг частоты и уширение спектра пикосекундных световых импульсов при их распространении в полупроводниках”, Письма в ЖТФ, 11:1 (1985), 34–38 |
|
1984 |
| 32. |
Н. Н. Зиновьев, Л. П. Иванов, Д. И. Ковалев, И. Д. Ярошецкий, “Диффузия неравновесной электронно-дырочной плазмы в магнитном поле
и ее проявление в рекомбинационном
излучении полупроводников”, Физика и техника полупроводников, 18:7 (1984), 1233–1236 |
| 33. |
С. Д. Ганичев, С. А. Емельянов, Я. В. Терентьев, И. Д. Ярошецкий, “Увлечение носителей тока фотонами в условиях многофотонного
поглощения субмиллиметрового излучения в дырочном германии”, Физика и техника полупроводников, 18:2 (1984), 266–269 |
|
1983 |
| 34. |
С. Д. Ганичев, С. А. Емельянов, И. Д. Ярошецкий, “Явление увлечения носителей тока фотонами в полупроводниках в дальней
ИК и субмиллиметровой области спектра”, Физика и техника полупроводников, 17:4 (1983), 698–703 |
|
1982 |
| 35. |
Е. В. Берегулин, П. М. Валов, С. Д. Ганичев, З. Н. Кабакова, И. Д. Ярошецкий, “Низкопороговое устройство для пассивной синхронизации мод импульсных ИК лазеров”, Квантовая электроника, 9:2 (1982), 323–327 [E. V. Beregulin, P. M. Valov, S. D. Ganichev, Z. N. Kabakova, I. D. Yaroshetskiǐ, “Low-voltage device for passive mode locking of pulsed infrared lasers”, Sov J Quantum Electron, 12:2 (1982), 175–178 ] |
1
|
|
1978 |
| 36. |
Е. В. Берегулин, П. М. Валов, С. М. Рывкин, Д. В. Тархин, И. Д. Ярошецкий, “Сверхмалоинерционный неохлаждаемый фотоприемник на основе внутризонной μ-фотопроводимости”, Квантовая электроника, 5:6 (1978), 1386–1389 [E. V. Beregulin, P. M. Valov, S. M. Ryvkin, D. V. Tarkhin, I. D. Yaroshetskiǐ, “Very-fast-response uncooled photodetector based on intraband μ-photoconductivity”, Sov J Quantum Electron, 8:6 (1978), 797–799] |
3
|
|
1977 |
| 37. |
П. М. Валов, К. В. Гончаренко, Ю. В. Марков, В. В. Першин, С. М. Рывкин, И. Д. Ярошецкий, “Приборы для регистрации излучения импульсных ИК лазеров на основе эффекта увлечения светом носителей
заряда в полупроводниках”, Квантовая электроника, 4:1 (1977), 95–102 [P. M. Valov, K. V. Goncharenko, Yu. V. Markov, V. V. Pershin, S. M. Ryvkin, I. D. Yaroshetskiǐ, “Instruments for detection of infrared laser radiation pulses based on the photon drag of carriers in semiconductors”, Sov J Quantum Electron, 7:1 (1977), 50–54] |
4
|
|
1966 |
| 38. |
Б. М. Ашкинадзе, В. И. Владимиров, В. А. Лихачев, С. М. Рывкин, В. М. Салманов, И. Д. Ярошецкий, “О разрушениях, вызываемых лазерным пучком в прозрачных диэлектриках”, Докл. АН СССР, 169:5 (1966), 1041–1043 |
|
|
|
1981 |
| 39. |
Ж. И. Алферов, Б. М. Вул, Б. П. Захарченя, A. М. Прохоров, В. М. Тучкевич, Г. Н. Флёров, И. Д. Ярошецкий, “Памяти Соломона Мееровича Рывкина”, УФН, 135:4 (1981), 719–720 ; Zh. I. Alferov, B. M. Vul, B. P. Zakharchenya, A. M. Prokhorov, V. M. Tuchkevich, G. N. Flerov, I. D. Yaroshetskiǐ, “Solomon Meerovich Ryvkin (Obituary)”, Phys. Usp., 24:12 (1981), 1015–1016 |
|
Обратная связь: