Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в Журнал технической физики, 1985, том 11, выпуск 1, страницы 46–48 (Mi pjtf740)  

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Фотоприемники на основе эффекта увлечения носителей тока фотонами для дальней ИК и субмиллиметровой области спектра

С. Д. Ганичев, Я. В. Терентьев, И. Д. Ярошецкий

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе АН СССР, Ленинград
Поступила в редакцию: 18.09.1984
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. Д. Ганичев, Я. В. Терентьев, И. Д. Ярошецкий, “Фотоприемники на основе эффекта увлечения носителей тока фотонами для дальней ИК и субмиллиметровой области спектра”, Письма в ЖТФ, 11:1 (1985), 46–48
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GanTerYar85}
\by С.~Д.~Ганичев, Я.~В.~Терентьев, И.~Д.~Ярошецкий
\paper Фотоприемники на основе эффекта увлечения носителей тока фотонами для дальней ИК и~субмиллиметровой области спектра
\jour Письма в ЖТФ
\yr 1985
\vol 11
\issue 1
\pages 46--48
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf740}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf740
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v11/i1/p46
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:73
    PDF полного текста:26
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024